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超结结构及其制造方法、超结半导体器件和半导体结构
摘要文本
本公开涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种超结结构及其制造方法、超结半导体器件和半导体结构。所述超结结构的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；形成多个沟槽，沟槽至少包括位于第二外延层中的第一部分，从而形成多个第二外延柱；在多个沟槽中填充第一外延层材料以形成多个第一外延柱，从而得到第一外延柱和第二外延柱交替排列的超结结构。本公开通过在一个超结结构内实现高度一致的第二外延柱，提高了每个超结结构的耐压能力，使得所述超结结构可以承受更高的电压，保持更低的导通电阻和更高的效率，在电力转换或传输过程中能更好地保持稳定性。 来源：百度搜索专利查询网
申请人信息
- 申请人:北京智芯微电子科技有限公司; 北京芯可鉴科技有限公司
- 申请人地址:100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 发明人: 北京智芯微电子科技有限公司; 北京芯可鉴科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 超结结构及其制造方法、超结半导体器件和半导体结构 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311799050.6 |
| 申请日 | 2023/12/26 |
| 公告号 | CN117476468B |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 北京智芯微电子科技有限公司; 北京芯可鉴科技有限公司 |
| 发明人 | 田俊; 付振; 张泉; 肖超; 尹强; 张文敏; 王悦 |
| 地址 | 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层 |
专利主权项内容
1.一种超结结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；通过依次刻蚀第二外延层和第一外延层形成多个沟槽，其中，当刻蚀深度大于第二外延层的厚度时，进一步对第一外延层进行刻蚀，从而形成所述沟槽；所述沟槽包括位于所述第二外延层中的第一部分(1)和位于所述第一外延层中的第二部分(2)，从而形成多个第二外延柱，其中，所述多个沟槽具有不相同的深度，所述第一部分(1)贯穿所述第二外延层，通过控制刻蚀速率和刻蚀时间将所述第二部分(2)的深度控制为一个范围值，所述范围值为大于等于零且小于第一外延层的厚度的数值；在所述多个沟槽中填充第一外延层材料以形成多个第一外延柱，从而得到第一外延柱和第二外延柱交替排列的超结结构；在所述超结结构上定义体区注入区域；在所述体区注入区域进行离子注入；通过退火工艺使注入的离子向侧面和下方扩散，以形成体区；在形成所述体区后的结构上，依次形成栅氧化层结构和栅极结构。 来源：百度搜索马克数据网