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一种碳化硅预处理方法及在铝基复合材料制备中的应用

申请号: CN202311300990.6
申请人: 北京航空航天大学
申请日期: 2023/10/10

摘要文本

本发明涉及合金材料技术领域,具体涉及一种碳化硅预处理方法及在铝基复合材料制备中的应用,包括采用低能球磨机对碳化硅颗粒进行球磨;对球磨后的碳化硅颗粒加热并通入氧气,氧化过程中用机械搅拌,使其表面氧化;对氧化后的碳化硅颗粒进行震动筛分,得到预处理的碳化硅颗粒;并基于预处理的碳化硅颗粒通过配料、熔体制备、加入碳化硅颗粒、真空跃迁变速搅拌、变质细化和浇铸等步骤得到铝基复合材料;本发明采用低能球磨与高温搅拌氧化的方法,有效的改善了碳化硅颗粒的形状,并防止颗粒之间的相互粘连团聚,极大改善了搅拌铸造中的润湿性与铝基复材中的界面强度。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种碳化硅预处理方法及在铝基复合材料制备中的应用
专利类型 发明授权
申请号 CN202311300990.6
申请日 2023/10/10
公告号 CN117049545B
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 C01B32/956
权利人 北京航空航天大学
发明人 贾丽娜; 张虎; 叶承统
地址 北京市海淀区学院路37号

专利主权项内容

1.一种碳化硅在铝基复合材料制备中的应用,其特征在于,所述碳化硅采用如下步骤进行预处理:(1)球磨:采用低能球磨机对碳化硅颗粒进行球磨;(2)氧化:对球磨后的碳化硅颗粒加热并通入氧气,氧化过程中对碳化硅颗粒进行机械搅拌,使其表面氧化;(3)筛分:对氧化后的碳化硅颗粒进行震动筛分,得到预处理的碳化硅颗粒;得到的预处理的碳化硅粒径10-40μm,平均长径比1.2~3.5,氧化膜厚度为10-400nm;配制铝合金基体的成分原料,在真空环境下熔化得到铝合金熔体,将预处理后的碳化硅颗粒加入铝合金熔体中并进行真空跃迁变速搅拌,随后对铝合金熔体进行细化和变质,将铝合金熔体浇铸,冷却后得到碳化硅增强铝基复合材料。 微信公众号马克 数据网