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一种基于电致变色器件的计算光谱仪的制备方法
摘要文本
本发明涉及快照式计算光谱仪技术领域,且公开了一种基于电致变色器件的计算光谱仪的制备方法,包括以下步骤:S1,电致变色器件的制备:采用脉冲直流反应磁控溅射法在云母基底上制备电致变色薄膜并组成电致变色器件,并制备滤光片阵列;S2,光谱校准:采用单色光照射电致变色器件,电化学工作站提供不同电压驱动电致变色器件,通过CMOS图像相机读出透射强度;S3,光谱重建:未知光通过电致变色器件进入CMOS图像相机,施加不同的电压,通过CMOS图像相机读出,重建算法计算光谱。本发明采用上述一种基于电致变色器件的计算光谱仪的制备方法,通过电致变色原理的电可调光谱响应特性提高滤光片的通道数量,从而提高计算光谱仪的光谱分辨率。
申请人信息
- 申请人:北京航空航天大学
- 申请人地址:100191 北京市海淀区学院路37号
- 发明人: 北京航空航天大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于电致变色器件的计算光谱仪的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311466084.3 |
| 申请日 | 2023/11/6 |
| 公告号 | CN117451181A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | G01J3/28 |
| 权利人 | 北京航空航天大学 |
| 发明人 | 钟晓岚; 田梦寒; 刘保磊; 王帆 |
| 地址 | 北京市海淀区学院路37号 |
专利主权项内容
1.一种基于电致变色器件的计算光谱仪的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1,电致变色器件的制备:采用脉冲直流反应磁控溅射法在云母基底上制备电致变色薄膜并组成电致变色器件,在电致变色器件上制备滤光片阵列;S2,光谱校准:采用单色光照射由步骤S1制备出的电致变色器件,电化学工作站提供不同电压驱动电致变色器件,通过CMOS图像相机读出透射强度;S3,光谱重建:未知光通过步骤S1制备的电致变色器件进入CMOS图像相机,施加不同的电压,通过CMOS图像相机读出,并通过重建算法计算光谱。 马 克 数 据 网