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热光移相器及其制造方法、光芯片
摘要文本
本发明提供了一种热光移相器及其制造方法、光芯片，可以应用于光芯片技术领域。该热光移相器包括：衬底；埋氧层，所述埋氧层设置于所述衬底上；包层，设置于所述埋氧层上；牺牲层，设置于所述衬底上，且一部分位于所述埋氧层中，另一部分位于所述包层中，所述牺牲层在所述包层中隔离形成一中间包层；至少一个传输波导，设置于所述中间包层内，且位于所述埋氧层中的一部分牺牲层上和/或所述埋氧层上；热源，设置于所述中间包层内，所述热源位于所述至少一个传输波导上方。可降低热光移相器的π相移功率。 （来 自 专利查询网）
申请人信息
- 申请人:中国科学院半导体研究所
- 申请人地址:100083 北京市海淀区清华东路甲35号
- 发明人: 中国科学院半导体研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 热光移相器及其制造方法、光芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311555695.5 |
| 申请日 | 2023/11/21 |
| 公告号 | CN117572670A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | G02F1/01 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 发明人 | 李明; 李昂; 谢毓俊; 杨先超; 任之良; 赵志勇; 孙雨舟; 李伟; 祝宁华 |
| 地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号 |
专利主权项内容
1.一种热光移相器，其特征在于，包括：衬底；埋氧层，所述埋氧层设置于所述衬底上；包层，设置于所述埋氧层上；牺牲层，设置于所述衬底上，且一部分位于所述埋氧层中，另一部分位于所述包层中，所述牺牲层在所述包层中隔离形成一中间包层；至少一个传输波导，设置于所述中间包层内，且位于所述埋氧层中的一部分牺牲层上和/或所述埋氧层上；热源，设置于所述中间包层内，所述热源位于所述至少一个传输波导上方。 关注微信公众号马克数据网