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离子阱芯片参数确定方法及装置、电子设备和介质

申请号: CN202311443801.0
申请人: 北京百度网讯科技有限公司
申请日期: 2023/11/1

摘要文本

来源:百度搜索专利查询网 。本公开提供了一种离子阱芯片参数确定方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品,涉及量子计算机领域,尤其涉及离子阱芯片技术领域。实现方案为:确定离子阱芯片中待标定的第一离子的位置;获取并确定激光器通过分束器分成的两束激光之间的初始频率差;确定激光照射到第一离子后的等效振幅;调节两束激光之间的频率差并确定所对应的激光脉冲持续时间;对于频率差和激光脉冲持续时间的每一个组合,确定在该组合下第一离子处于激发态的第一概率;基于第一概率随该组合中的频率差的变化确定声子频率。基于公式确定激光脉冲持续时间τopt,n为奇数,Ω为等效振幅,Δ为频率差。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 离子阱芯片参数确定方法及装置、电子设备和介质
专利类型 发明申请
申请号 CN202311443801.0
申请日 2023/11/1
公告号 CN117371547A
公开日 2024/1/9
IPC主分类号 G06N10/20
权利人 北京百度网讯科技有限公司
发明人 汪景波; 黄晨
地址 北京市海淀区上地十街10号百度大厦2层

专利主权项内容

更多数据:搜索马克数据网来源: 1.一种离子阱芯片参数标定方法,包括:确定所述离子阱芯片中待标定的第一离子的位置;获取并确定激光器通过分束器分成的两束激光之间的初始频率差;通过激光器照射所述第一离子,确定所述激光照射到所述第一离子后的等效振幅;调节所述两束激光之间的频率差,并确定当前频率差所对应的激光脉冲持续时间,其中,基于公式确定所述激光脉冲持续时间τ,其中n为奇数,Ω为所述等效振幅,Δ为所述频率差;opt对于所述频率差和所述激光脉冲持续时间的每一个组合,确定在该组合下所述第一离子处于激发态的第一概率;基于所述第一概率随该组合中的所述频率差的变化确定声子频率。