晶圆清洗方法
摘要文本
本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种晶圆清洗方法。该晶圆清洗装置包括晶圆载台、锁紧组件、升降旋转摆臂、第一清洗组件和第二清洗组件，锁紧组件设置于晶圆载台上，锁紧组件用于锁紧晶圆；第一清洗组件包括纯水喷吐管路、臭氧水喷吐管路和多个二流体喷头，纯水喷吐管路用于向晶圆的正面喷吐纯水，臭氧水喷吐管路用于向晶圆的正面喷吐臭氧水，升降旋转摆臂能带动二流体喷头做扇形往复运动，二流体喷头用于向晶圆的正面喷吐清洗液；第二清洗组件穿设于晶圆载台设置，第二清洗组件用于向晶圆的背面喷吐清洗液。本发明提供的晶圆清洗方法使用上述晶圆清洗装置完成，有效提高了对晶圆的清洗效果。
申请人信息
- 申请人:北京青禾晶元半导体科技有限责任公司; 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 申请人地址:100083 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146
- 发明人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司; 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 晶圆清洗方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311734689.6 |
| 申请日 | 2023/12/18 |
| 公告号 | CN117423644B |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L21/67 |
| 权利人 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司; 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司 |
| 发明人 | 王爽; 高文琳; 母凤文; 郭超 |
| 地址 | 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146; 山西省晋城市晋城经济技术开发区金鼎路东、顺安街南创新创业产业园10号楼 |
专利主权项内容
1.晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶圆的清洗方法采用晶圆清洗装置完成，所述晶圆清洗装置包括晶圆载台(100)、锁紧组件(200)、升降旋转摆臂(300)、第一清洗组件、第二清洗组件(500)和毛刷(600)；所述锁紧组件(200)设置于所述晶圆载台(100)上，所述锁紧组件(200)用于锁紧晶圆(1100)；所述升降旋转摆臂(300)设置于所述晶圆载台(100)的上方；所述第一清洗组件包括纯水喷吐管路(410)、臭氧水喷吐管路(420)和多个二流体喷头，所述纯水喷吐管路(410)和所述臭氧水喷吐管路(420)均设置于所述晶圆载台(100)上，所述纯水喷吐管路(410)用于向所述晶圆(1100)的正面喷吐纯水，所述臭氧水喷吐管路(420)用于向所述晶圆(1100)的正面喷吐臭氧水，多个所述二流体喷头均设置于所述升降旋转摆臂(300)的端部，所述升降旋转摆臂(300)能带动所述二流体喷头做扇形往复运动，所述二流体喷头用于向所述晶圆(1100)的正面喷吐清洗液；所述二流体喷头设置有三个，分别为第一二流体喷头(431)、第二二流体喷头(432)和第三二流体喷头(433)；所述第二清洗组件(500)穿设于所述晶圆载台(100)设置，所述第二清洗组件(500)用于向所述晶圆(1100)的背面喷吐清洗液，所述毛刷(600)转动设置于所述升降旋转摆臂(300)的端部，所述毛刷(600)用于对所述晶圆(1100)的正面进行刷洗，所述晶圆的清洗方法包括：将晶圆(1100)置于所述晶圆载台(100)上，并使所述晶圆载台(100)带动所述晶圆(1100)旋转；臭氧水清洗，使用所述臭氧水喷吐管路(420)向所述晶圆(1100)的正面喷吐臭氧水，使用所述第二清洗组件(500)向所述晶圆(1100)的背面喷吐臭氧水，所述臭氧水清洗时，所述晶圆载台(100)的转速为400RPM-700RPM，所述臭氧水的浓度为20ppm-40ppm，所述臭氧水的流量为0.3L/min-0.4L/min，清洗时间为30s-60s；使用所述第一二流体喷头(431)向所述晶圆(1100)的正面喷吐N和纯水，同时使用所述第二清洗组件(500)向所述晶圆(1100)的背面喷吐纯水；2第一次交替清洗，使用所述第二二流体喷头(432)向所述晶圆(1100)的正面喷吐氢氟酸和N，同时使用所述第二清洗组件(500)向所述晶圆(1100)的背面喷吐氢氟酸，接着，所述第二二流体喷头(432)停止向所述晶圆(1100)的正面喷吐氢氟酸和N，所述第二清洗组件(500)停止向所述晶圆(1100)的背面喷吐氢氟酸，然后，使用所述臭氧水喷吐管路(420)向所述晶圆(1100)的正面喷吐臭氧水，同时使用所述第二清洗组件(500)向所述晶圆(1100)的背面喷吐臭氧水，依次交替清洗；22第二次交替清洗，使用所述第三二流体喷头(433)向所述晶圆(1100)的正面喷吐NHOH和N，同时使用所述第二清洗组件(500)向所述晶圆(1100)的背面喷吐NHOH，接着，所述第三二流体喷头(433)停止向所述晶圆(1100)的正面喷吐NHOH和N，所述第二清洗组件(500)停止向所述晶圆(1100)的背面喷吐NHOH，然后，使用所述臭氧水喷吐管路(420)向所述晶圆(1100)的正面喷吐臭氧水，同时使用所述第二清洗组件(500)向所述晶圆(1100)的背面喷吐臭氧水，依次交替清洗；424424纯水清洗，使用纯水喷吐管路(410)向所述晶圆(1100)的正面喷吐纯水；所述第一次交替清洗时，所述晶圆载台(100)的转速为500RPM-600RPM，所述氢氟酸的流量为0.3L/M-0.4L/M，所述N的压力为0.3Mpa-0.4Mpa，所述氢氟酸的单次清洗时间为5s-7s，所述臭氧水的流量为0.3L/M-0.4L/M，所述臭氧水的单次清洗时间为3s-5s，所述交替清洗的次数为5次-10次；2所述第二次交替清洗时，所述晶圆载台(100)的转速为600RPM-700RPM，所述NHOH的流量为0.4L/M-0.5L/M，所述N的压力为0.4Mpa-0.5Mpa，所述臭氧水的流量为0.4L/M-0.5L/M，所述NHOH的单次清洗时间为5s-6s，所述臭氧水的单次清洗时间为5s-7s，所述交替清洗的次数为5次-10次。424