← 返回列表
磁存储单元的制作方法及存储器
摘要文本
本发明涉及一种磁存储单元的制作方法及存储器，该方法包括：在衬底上沉积底电极层、磁隧道结膜堆与第一硬掩膜层；涂覆并图案化光刻胶，形成光刻胶图形孔；沉积第二硬掩膜层，并在光刻胶图形孔底部形成刻蚀硬掩膜；去除光刻胶与光刻胶顶部的第二硬掩膜层，并以刻蚀硬掩膜为掩膜刻蚀形成磁隧道结。本发明在需要光学邻近修正的方法修正磁隧道结图形时，修正后的光刻版上图形孔的尺寸接近或小于显影后光刻胶图形孔的尺寸，因此不会导致磁存储单元图形密度下降，利于器件的高密度集成，进而利于芯片数据存储密度的提升。 关注公众号专利查询网
申请人信息
- 申请人:致真存储(北京)科技有限公司
- 申请人地址:100191 北京市海淀区知春路6号(锦秋国际大厦)10层A03
- 发明人: 致真存储(北京)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 磁存储单元的制作方法及存储器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311669686.9 |
| 申请日 | 2023/12/7 |
| 公告号 | CN117377375B |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H10N50/01 |
| 权利人 | 致真存储(北京)科技有限公司 |
| 发明人 | 李云鹏; 刘宏喜; 曹凯华; 王戈飞 |
| 地址 | 北京市海淀区知春路6号(锦秋国际大厦)10层A03 |
专利主权项内容
1.一种磁存储单元的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上分别沉积底电极层、磁隧道结膜堆与第一硬掩膜层；涂覆并图案化光刻胶，形成光刻胶图形孔；沉积第二硬掩膜层，并在所述光刻胶图形孔底部形成刻蚀硬掩膜；去除光刻胶与光刻胶顶部的第二硬掩膜层，并以刻蚀硬掩膜为掩膜刻蚀形成磁隧道结；所述第二硬掩膜层与所述第一硬掩膜层的刻蚀选择比大于一；所述刻蚀硬掩膜的厚度小于所述第一硬掩膜的厚度。 马 克 数 据 网