一种中功率低附加调幅多功能芯片
摘要文本
本发明公开了一种中功率低附加调幅多功能芯片,包括1分2功率分配器和两个收发通道,每个收发通道的数控衰减器单元的输入端口是芯片信号输入端,输出端口与中功率接收放大器单元的输入端口相连,接收放大器单元的输出端口与收发开关单元的接收端口相连,收发开关单元的公共端口与数控低附加调幅移相器单元的第一端口相连,发射端口与中功率发射放大器单元的输入端口相连,发射放大器单元的输出端口是芯片信号输出端;功率分配器的第一端口是芯片的公共端口,第二端口与第三端口分别与两个收发通道的数控低附加调幅移相器单元的第二端口相连。本发明能够输出中等功率信号,降低移相附加调幅参数,提升相控阵天线集成度,优化天线旁瓣性能。
申请人信息
- 申请人:北京无线电测量研究所
- 申请人地址:100143 北京市海淀区永定路50号32楼
- 发明人: 北京无线电测量研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种中功率低附加调幅多功能芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311755046.X |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN117713866A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H04B1/40 |
| 权利人 | 北京无线电测量研究所 |
| 发明人 | 郝迦琛; 孟飞; 万祥; 文晓敏; 曹佳 |
| 地址 | 北京市海淀区永定路50号 |
专利主权项内容
1.一种中功率低附加调幅多功能芯片,其特征在于,所述芯片包括1分2功率分配器和两个收发通道,每个收发通道包括中功率发射放大器单元、收发开关单元、数控低附加调幅移相器单元、数控衰减器单元、中功率接收放大器单元;其中,收发开关单元用于切换所述芯片的接收与发射状态,数控低附加调幅移相器单元用于实现收发通道的相位控制,数控衰减器单元用于实现接收通道的幅度控制,中功率接收放大器单元用于实现接收通道的信号放大,中功率发射放大器单元用于实现发射通道的信号放大;数控衰减器单元的输入端口是所述芯片的接收信号输入端,数控衰减器单元的输出端口与中功率接收放大器单元的输入端口相连接,中功率接收放大器单元的输出端口与收发开关单元的接收端口相连接,收发开关单元的公共端口与数控低附加调幅移相器单元的第一端口相连接,收发开关单元的发射端口与中功率发射放大器单元的输入端口相连接,中功率发射放大器单元的输出端口是所述芯片的发射信号输出端;1分2功率分配器的第一端口是所述芯片的公共端口,第二端口与第三端口分别与两个收发通道的数控低附加调幅移相器单元的第二端口相连接。