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半导体结构及其制备方法
摘要文本
本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，其中，半导体结构包括第一有源结构和沟道结构，第一有源结构是由沟道结构的第一端外延生长形成的；翻转衬底并去除衬底，以暴露沟道结构的第二端，第二端与第一端为所述沟道结构相对的两端；在沟道结构的第二端外延生长第二有源结构。
申请人信息
- 申请人:北京大学
- 申请人地址:100871 北京市海淀区颐和园路5号
- 发明人: 北京大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311397765.9 |
| 申请日 | 2023/10/25 |
| 公告号 | CN117438470A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 北京大学 |
| 发明人 | 吴恒; 王志灏; 葛延栋; 卢浩然; 王润声; 黎明; 黄如 |
| 地址 | 北京市海淀区颐和园路5号 |
专利主权项内容
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成半导体结构，其中，所述半导体结构包括第一有源结构和沟道结构，所述第一有源结构是由所述沟道结构的第一端外延生长形成的；翻转所述衬底并去除衬底，以暴露所述沟道结构的第二端，所述第二端与所述第一端为所述沟道结构相对的两端；在所述沟道结构的第二端外延生长第二有源结构。