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一种谐振式静电场传感器及电场检测装置
摘要文本
本申请涉及电场传感器领域，尤其涉及一种谐振式静电场传感器及电场检测装置。谐振式静电场传感器包括感应电极、敏感结构、绝缘体和基底；感应电极与敏感结构之间的空间位置相对独立，提高感应电极的布置灵活性，可根据实际封装要求和检测精度需求，最大限定的提升传感器的有效感应面积，有利于提升检测精度，提高了电场传感器的分辨力。
申请人信息
- 申请人:北京信息科技大学
- 申请人地址:100089 北京市海淀区清河小营东路12号
- 发明人: 北京信息科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种谐振式静电场传感器及电场检测装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311557078.9 |
| 申请日 | 2023/11/21 |
| 公告号 | CN117517805A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | G01R29/12 |
| 权利人 | 北京信息科技大学 |
| 发明人 | 杨鹏飞; 王若航 |
| 地址 | 北京市海淀区清河小营东路12号 |
专利主权项内容
1.一种谐振式静电场传感器，其特征在于，所述谐振式静电场传感器包括感应电极(1)、敏感结构(2)、绝缘体(3)和基底(4)；所述敏感结构(2)和所述绝缘体(3)承载于所述基底(4)上；所述绝缘体(3)的高度高于所述敏感结构(2)的高度，所述绝缘体(3)用于支撑固定所述感应电极(1)，使得所述感应电极(1)布设于所述敏感结构(2)上方；所述感应电极(1)与所述敏感结构(2)电连接，用于感测被测电场从而产生感应电荷；所述敏感结构(2)用于基于所述感应电极(1)感测到的所述感应电荷，实现对所述被测电场的电场强度的检测。