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一种多峰场负氢离子源引出结构
摘要文本
本发明提出了一种多峰场负氢离子源引出结构，该引出结构布设在离子源电子和负氢离子的引出区域；该引出结构沿着束流引出方向顺序设有：放电室、放电室出口处的等离子体电极、吸极、地电极、绝缘装置；在引出结构上还设有气道，该气道用于离子源进气方式采用在等离子体电极与放电室之间渗透的方式进气，该进气方式使得氢气从引出口向灯丝方向扩散，有利于提升负氢的产额；等离子体电极和吸极采用间接冷却的方式、以及吸极与地电极之间的绝缘装置通过第一挡圈、第二挡圈对其进行保护；本发明将通过改变进气的方式、电极的冷却方式以及绝缘装置的保护方式等来优化多峰场负氢离子源的引出结构，提高负氢的产额，进而提高注入加速器的束流的品质。
申请人信息
- 申请人:北京核力同创科技有限公司
- 申请人地址:100089 北京市海淀区地锦路6号院1号楼5层7501室
- 发明人: 北京核力同创科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种多峰场负氢离子源引出结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311238303.2 |
| 申请日 | 2023/9/22 |
| 公告号 | CN117460142A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | H05H13/00 |
| 权利人 | 北京核力同创科技有限公司 |
| 发明人 | 温佳美; 吕银龙; 秦伟涛; 谢宗泰; 李明; 王煜; 崔涛 |
| 地址 | 北京市海淀区地锦路6号院1号楼5层7501室 |
专利主权项内容
1.一种多峰场负氢离子源引出结构，该引出结构布设在离子源电子和负氢离子的引出区域；该引出结构沿着束流引出方向顺序设有：放电室(7)、放电室(7)出口处的等离子体电极(1)、吸极(2)、地电极(3)、放电室(7)与等离子体电极(1)之间的绝缘装置(4-1)、等离子体电极(1)与吸极(2)之间的绝缘装置(4-2)、吸极(2)与地电极(3)之间的绝缘装置(4-3)；其特征在于：在引出结构上还设有气道(8)，该气道(8)用于离子源进气方式采用在等离子体电极(1)与放电室(7)之间渗透的方式进气，该进气方式使得氢气从引出口向灯丝方向扩散，有利于提升负氢的产额；等离子体电极(1)和吸极(2)采用间接冷却的方式，在两个电极的外围用铜管缠绕进行间接水冷，用以防止冷却水渗漏以及避免直接水冷加工难度系数高的问题；所述吸极(2)与地电极(3)之间的绝缘装置(4-3)通过第一挡圈(5-1)、第二挡圈(5-2)对其进行保护，用以有效防止离子对绝缘装置的溅射。。更多数据：