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半导体制备方法、半导体结构和芯片
摘要文本
本申请提供一种半导体制备方法、半导体结构和芯片。该方法包括：在第一衬底上形成第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管和第二晶体管与第一衬底之间形成有BDI层；对第一衬底所在的晶圆进行倒片；去除第一衬底，以暴露出BDI层；去除BDI层中与第一晶体管对应的部分，以暴露出第一晶体管的第一外延结构，其中，第一外延结构构成第一晶体管的源极和/或漏极；在第一外延结构上形成第二外延结构，其中，第一外延结构和第二外延结构构成静电放电路径。通过本申请的方案，能够为具有BDI层的GAA晶体管提供ESD保护。
申请人信息
- 申请人:北京大学
- 申请人地址:100871 北京市海淀区颐和园路5号
- 发明人: 北京大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体制备方法、半导体结构和芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311319773.1 |
| 申请日 | 2023/10/12 |
| 公告号 | CN117334693A |
| 公开日 | 2024/1/2 |
| IPC主分类号 | H01L27/02 |
| 权利人 | 北京大学 |
| 发明人 | 吴恒; 张磊; 黎明; 王润声; 黄如 |
| 地址 | 北京市海淀区颐和园路5号 |
专利主权项内容
1.一种半导体制备方法，其特征在于，包括：在第一衬底上形成第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管与所述第一衬底之间形成有底部介质隔离BDI层；对所述第一衬底所在的晶圆进行倒片；去除所述第一衬底，以暴露出所述BDI层；去除所述BDI层中与所述第一晶体管对应的部分，以暴露出所述第一晶体管的第一外延结构，其中，所述第一外延结构构成所述第一晶体管的源极和/或漏极；在所述第一外延结构上形成第二外延结构，其中，所述第一外延结构和所述第二外延结构构成静电放电路径。