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感应放大器及其控制方法、存储阵列结构及存储器

申请号: CN202311460221.2
申请人: 北京超弦存储器研究院
申请日期: 2023/11/3

摘要文本

本申请实施例提供了一种感应放大器及其控制方法、存储阵列结构及存储器,涉及存储技术领域。感应放大器,包括:第一信号放大单元,第一端、第二端分别用于与第一电压端、第二电压端电电连接,第三端、第四端分别作为第一节点、第二节点;第二信号放大单元,第一端、第二端、第三端分别用于与第三电压端、第四电压端、位线电连接,第四端与第一节点电连接;感应放大器,被配置为在第一信号放大阶段使得第一节点的电压放大到第一电压;在第二信号放大阶段使得位线的电压放大到第二电压,以将第二电压回写到存储单元。本申请实施例的感应放大器的结构可以替代边缘参考阵列,不用额外设置参考阵列,进而减小芯片的尺寸,降低了芯片成本。 详见官网:

专利详细信息

项目 内容
专利名称 感应放大器及其控制方法、存储阵列结构及存储器
专利类型 发明申请
申请号 CN202311460221.2
申请日 2023/11/3
公告号 CN117497023A
公开日 2024/2/2
IPC主分类号 G11C11/4091
权利人 北京超弦存储器研究院
发明人 罗元均; 王卫涛
地址 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室

专利主权项内容

1.一种感应放大器,其特征在于,包括:第一信号放大单元,第一端、第二端分别用于与第一电压端、第二电压端电电连接,第三端、第四端分别作为第一节点、第二节点;第一电压端用于输出第一电压,第二电压端用于输出第二电压,所述第一电压大于所述第二电压;第二信号放大单元,第一端、第二端、第三端分别用于与第三电压端、第四电压端、位线电连接,第四端与第一节点电连接;所述第三电压端的电压与所述第一电压端的电压相同,所述第四电压端的电压与所述第二电压端的电压相同;所述位线用于与存储阵列结构的存储单元电连接;所述感应放大器,被配置为在第一信号放大阶段,所述第一信号放大单元的第一端、第一节点和第二端导通,使得第一节点的电压放大到所述第一电压;在第二信号放大阶段,所述第二信号放大单元的第一端和第三端导通且第二端和第三端导通,使得所述位线的电压放大到第二电压,以将所述第二电压回写到所述存储单元。