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一种红外探测器制造方法及红外探测器
摘要文本
本申请公开了一种红外探测器制造方法及红外探测器,属于红外探测器领域,该方法包括:在晶片的钝化层背离吸收层的表面形成接触孔,使所述接触孔贯穿所述钝化层;所述晶片包括沿厚度方向依次设置的所述吸收层和所述钝化层;向所述接触孔内注入离子,在所述吸收层与所述接触孔接触的区域形成PN结;形成所述PN结后,在所述接触孔内沉积第一导电材料,使所述第一导电材料填充整个所述接触孔,以形成电极;将所述电极与读出电路进行互连,得到所述红外探测器。本申请通过该方式规避了小间距,尤其是5μm以下像元间距制备工艺中,注入区与接触孔超高精度要求的加工难度;简化了光刻工艺;同时,由于基于原位成结引出,对准精度100%精确。
申请人信息
- 申请人:北京智创芯源科技有限公司
- 申请人地址:100095 北京市大兴区北京经济技术开发区经海三路106号1幢一层
- 发明人: 北京智创芯源科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种红外探测器制造方法及红外探测器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311519046.X |
| 申请日 | 2023/11/15 |
| 公告号 | CN117374133A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | H01L31/0203 |
| 权利人 | 北京智创芯源科技有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名 |
| 地址 | 北京市大兴区北京经济技术开发区经海三路106号1幢一层 |
专利主权项内容
1.一种红外探测器制造方法,其特征在于,包括:在晶片的钝化层背离吸收层的表面形成接触孔,使所述接触孔贯穿所述钝化层;所述晶片包括沿厚度方向依次设置的所述吸收层和所述钝化层;向所述接触孔内注入离子,在所述吸收层与所述接触孔接触的区域形成PN结;形成所述PN结后,在所述接触孔内沉积第一导电材料,使所述第一导电材料填充整个所述接触孔,以形成电极;将所述电极与读出电路进行互连,得到所述红外探测器。 (来 自 马 克 数 据 网)