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一种红外探测器制造方法及红外探测器

申请号: CN202311519046.X
申请人: 北京智创芯源科技有限公司
申请日期: 2023/11/15

摘要文本

本申请公开了一种红外探测器制造方法及红外探测器,属于红外探测器领域,该方法包括:在晶片的钝化层背离吸收层的表面形成接触孔,使所述接触孔贯穿所述钝化层;所述晶片包括沿厚度方向依次设置的所述吸收层和所述钝化层;向所述接触孔内注入离子,在所述吸收层与所述接触孔接触的区域形成PN结;形成所述PN结后,在所述接触孔内沉积第一导电材料,使所述第一导电材料填充整个所述接触孔,以形成电极;将所述电极与读出电路进行互连,得到所述红外探测器。本申请通过该方式规避了小间距,尤其是5μm以下像元间距制备工艺中,注入区与接触孔超高精度要求的加工难度;简化了光刻工艺;同时,由于基于原位成结引出,对准精度100%精确。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种红外探测器制造方法及红外探测器
专利类型 发明申请
申请号 CN202311519046.X
申请日 2023/11/15
公告号 CN117374133A
公开日 2024/1/9
IPC主分类号 H01L31/0203
权利人 北京智创芯源科技有限公司
发明人 请求不公布姓名
地址 北京市大兴区北京经济技术开发区经海三路106号1幢一层

专利主权项内容

1.一种红外探测器制造方法,其特征在于,包括:在晶片的钝化层背离吸收层的表面形成接触孔,使所述接触孔贯穿所述钝化层;所述晶片包括沿厚度方向依次设置的所述吸收层和所述钝化层;向所述接触孔内注入离子,在所述吸收层与所述接触孔接触的区域形成PN结;形成所述PN结后,在所述接触孔内沉积第一导电材料,使所述第一导电材料填充整个所述接触孔,以形成电极;将所述电极与读出电路进行互连,得到所述红外探测器。 (来 自 马 克 数 据 网)