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设计图形坏点检测方法、光刻布线方法、系统及存储介质
摘要文本
本发明涉及芯片设计领域,特别涉及一种设计图形坏点检测方法、光刻布线方法、系统及存储介质。设计图形坏点检测方法包括如下步骤:提供设计图形,根据设计图形生成第一掩模版,对第一掩模版进行仿真得到第一光刻胶轮廓;依据光刻工艺训练神经网络模型,把设计图形作为神经网络模型的输入,得到第二掩模版,通过第二掩模版仿真得到第二光刻胶轮廓;检查第二光刻胶轮廓和第一光刻胶轮廓的区别点;神经网络模型重新采集区别点的设计图形数据,通过神经网络模型得到新的第二光刻胶轮廓;检测新的第二光刻胶轮廓存在的坏点,输出检测到的坏点。通过神经网络模型极大提高了得到光刻胶轮廓的速度,同时能够检查设计图形全范围的坏点。
申请人信息
- 申请人:东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司
- 申请人地址:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路156号院12号楼
- 发明人: 东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 设计图形坏点检测方法、光刻布线方法、系统及存储介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311272905.X |
| 申请日 | 2023/9/28 |
| 公告号 | CN117369218A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | G03F7/20 |
| 权利人 | 东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司 |
| 发明人 | 张生睿; 俞宗强; 施伟杰 |
| 地址 | 北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路156号院12号楼 |
专利主权项内容
微信公众号马克 数据网 1.一种设计图形坏点检测方法,其特征在于:包括以下步骤:提供设计图形,根据设计图形生成第一掩模版,对第一掩模版进行仿真得到第一光刻胶轮廓;依据光刻工艺训练神经网络模型,把设计图形作为神经网络模型的输入,得到第二掩模版,通过第二掩模版仿真得到第二光刻胶轮廓;检查第二光刻胶轮廓和第一光刻胶轮廓的区别点,并记录区别点的区别值;神经网络模型重新采集区别点的设计图形数据,通过神经网络模型得到新的第二光刻胶轮廓;检测新的第二光刻胶轮廓存在的坏点,输出检测到的坏点。