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设计图形坏点检测方法、光刻布线方法、系统及存储介质

申请号: CN202311272905.X
申请人: 东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司
申请日期: 2023/9/28

摘要文本

本发明涉及芯片设计领域,特别涉及一种设计图形坏点检测方法、光刻布线方法、系统及存储介质。设计图形坏点检测方法包括如下步骤:提供设计图形,根据设计图形生成第一掩模版,对第一掩模版进行仿真得到第一光刻胶轮廓;依据光刻工艺训练神经网络模型,把设计图形作为神经网络模型的输入,得到第二掩模版,通过第二掩模版仿真得到第二光刻胶轮廓;检查第二光刻胶轮廓和第一光刻胶轮廓的区别点;神经网络模型重新采集区别点的设计图形数据,通过神经网络模型得到新的第二光刻胶轮廓;检测新的第二光刻胶轮廓存在的坏点,输出检测到的坏点。通过神经网络模型极大提高了得到光刻胶轮廓的速度,同时能够检查设计图形全范围的坏点。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 设计图形坏点检测方法、光刻布线方法、系统及存储介质
专利类型 发明申请
申请号 CN202311272905.X
申请日 2023/9/28
公告号 CN117369218A
公开日 2024/1/9
IPC主分类号 G03F7/20
权利人 东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司
发明人 张生睿; 俞宗强; 施伟杰
地址 北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路156号院12号楼

专利主权项内容

微信公众号马克 数据网 1.一种设计图形坏点检测方法,其特征在于:包括以下步骤:提供设计图形,根据设计图形生成第一掩模版,对第一掩模版进行仿真得到第一光刻胶轮廓;依据光刻工艺训练神经网络模型,把设计图形作为神经网络模型的输入,得到第二掩模版,通过第二掩模版仿真得到第二光刻胶轮廓;检查第二光刻胶轮廓和第一光刻胶轮廓的区别点,并记录区别点的区别值;神经网络模型重新采集区别点的设计图形数据,通过神经网络模型得到新的第二光刻胶轮廓;检测新的第二光刻胶轮廓存在的坏点,输出检测到的坏点。