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数据处理芯片及其制造方法、数据处理系统
摘要文本
本公开基于内存带宽无法保证数据的高速传输，难以满足算力需求，存在空间利用率低的问题，提供一种数据处理芯片及其制造方法、数据处理系统。数据处理芯片包括：第一晶圆包括：运算器；第一晶粒，位于所述第一晶圆之上且与所述第一晶圆键合，包括：布线层和位于所述布线层中的第一缓存器，所述第一缓存器与所述运算器耦接；第二晶粒，位于所述第一晶粒之上且与所述第一晶粒键合，包括：第二缓存器，所述第二缓存器与所述第一缓存器耦接；其中，所述第二缓存器的存储容量大于所述第一缓存器的存储容量。如此，可为数据传输提供更高的带宽，实现高算力的同时降低了系统的带宽需求，并提高空间利用率。
申请人信息
- 申请人:北京算能科技有限公司
- 申请人地址:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街8号院8号楼9层901
- 发明人: 北京算能科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 数据处理芯片及其制造方法、数据处理系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311411741.4 |
| 申请日 | 2023/10/27 |
| 公告号 | CN117453619A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | G06F15/78 |
| 权利人 | 北京算能科技有限公司 |
| 发明人 | 吕佳霖 |
| 地址 | 北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街8号院8号楼9层901 |
专利主权项内容
1.一种数据处理芯片，其特征在于，包括：第一晶圆，包括：运算器；第一晶粒，位于所述第一晶圆之上且与所述第一晶圆键合，包括：布线层和位于所述布线层中的第一缓存器，所述第一缓存器与所述运算器耦接；第二晶粒，位于所述第一晶粒之上且与所述第一晶粒键合，包括：第二缓存器，所述第二缓存器与所述第一缓存器耦接；其中，所述第二缓存器的存储容量大于所述第一缓存器的存储容量。