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AlGaN外延结构的生长方法及应用
摘要文本
本申请公开了一种高质量AlGaN外延结构的生长方法及应用。生长方法包括：在纳米图形化衬底表面生长AlN模板层，在第一V/III比的条件在AlN模板层表面生长第一AlGaN层，在第二V/III比的条件在第一AlGaN层表面生长第二AlGaN层，按照先生长一层第一AlGaN层、再生长一层第二AlGaN层的顺序重复n个周期，在第一V/III比的条件，在第二AlGaN层表面生长第三AlGaN层，在第三V/III比的条件，在第三AlGaN层表面生长AlGaN外延层。本申请的生长方法，能够实现在纳米图形化衬底上生长出无裂纹、缺陷密度低、具有原子级台阶和表面平整的AlGaN外延层。
申请人信息
- 申请人:北京中博芯半导体科技有限公司
- 申请人地址:101300 北京市顺义区文良街15号院1号楼3层A1区(顺创)
- 发明人: 北京中博芯半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | AlGaN外延结构的生长方法及应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311787649.8 |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117476825A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L33/00 |
| 权利人 | 北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 许福军; 沈波; 张立胜; 康香宁; 秦志新; 杨学林 |
| 地址 | 北京市顺义区文良街15号院1号楼3层A1区(顺创) |
专利主权项内容
1.一种AlGaN外延结构的生长方法，其特征在于，包括：将纳米图形化衬底置于反应室，在所述纳米图形化衬底表面生长AlN模板层；在第一V/III比的条件，持续通入第一流量比的TMAl和TMGa、第一流量的氨气，在所述AlN模板层表面生长第一AlGaN层；在第二V/III比的条件，持续通入第一流量比的TMAl和TMGa、第二流量的氨气，在所述AlN模板层表面生长第二AlGaN层；其中，所述第二V/III比大于所述第一V/III比，所述第二流量大于所述第一流量；每个周期按照先生长一层所述第一AlGaN层、再生长一层所述第二AlGaN层的顺序，重复n个周期后，在第一V/III比的条件，持续通入第一流量比的TMAl和TMGa、第一流量的氨气，在所述第二AlGaN层表面生长第三AlGaN层；其中，n为整数，且n满足：5≤n≤20；在第三V/III比的条件，持续通入第二流量比的TMAl和TMGa、第一流量的氨气、第三流量的硅烷，在所述第三AlGaN层表面生长AlGaN外延层。