一种锑基电极及其制备方法和应用
摘要文本
本发明公开了一种锑基电极及其制备方法和应用，属于电极及其制备技术领域。本发明首先利用沉积ZnO纳米层，得到具有阵列结构的沉积层，然后利用第一TiO2层、SbVO4层和第二TiO2层的多层沉积，将活性物质牢固的同时，有效避免添加剂的使用，在一定程度上提高了电池能量密度，且还可减少沉积层的脱落，进而有效抑制因沉积层脱落而导致的性能损失。本发明制备得到的锑基电极用于锂离子电池负极使用，在2 A g‑1的电流密度下，经过1890次循环后，仍可保持448 mAh g‑1的比容量。作为钠离子电池负极使用，在1 A g‑1的电流密度下，经过1000次循环后，仍可保持288 mAh g‑1的比容量。
申请人信息
- 申请人:中国科学院长春应用化学研究所
- 申请人地址:130000 吉林省长春市朝阳区人民大街5625号
- 发明人: 中国科学院长春应用化学研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种锑基电极及其制备方法和应用 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311722592.3 |
| 申请日 | 2023/12/15 |
| 公告号 | CN117410437B |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01M4/04 |
| 权利人 | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 发明人 | 程勇; 尹东明; 王照民; 王春丽; 王立民 |
| 地址 | 吉林省长春市人民大街5625号 |
专利主权项内容
1.一种锑基电极的制备方法，其特征在于，包括：步骤一，将钛箔置于含有六水合硝酸锌和氢氧化铵的浸泡液中，密封后在75℃条件下加热处理4 h，在钛箔表面沉积ZnO纳米阵列层；步骤二，将经过步骤一处理的钛箔置于含有氟钛酸铵和硼酸的浸泡液中，密封后在30℃条件下浸泡90 min，在钛箔表面的ZnO纳米阵列层上沉积第一TiO层；2步骤三，将经过步骤二处理的钛箔置于含有钒酸铵、三氯化锑和乙醇的浸泡液中，密封后在180 ℃下加热处理12 h，在钛箔表面的第一TiO层上沉积SbVO层；24步骤四，将经过步骤三处理的钛箔置于含有氟钛酸铵和硼酸的浸泡液中，密封后在30℃条件下浸泡90 min，在钛箔表面的SbVO层上沉积第二TiO层；42步骤五，在惰性气体保护下，将经过步骤四处理的钛箔，在350 ℃保温3 h，得到锑基电极；步骤二和步骤四中浸泡液由氟钛酸铵、硼酸和水组成，其中氟钛酸铵的质量分数为1.46%，硼酸的质量分数为1.22%；步骤三中浸泡液由钒酸铵、三氯化锑、乙醇和水组成，其中钒酸铵的质量分数为0.38%，三氯化锑的质量分数为1.89%。