← 返回列表
InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格及其制备方法和红外探测器
摘要文本
本申请提供一种InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格及其制备方法和红外探测器，涉及材料领域。InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格的制备方法，包括：使用MBE方法在晶格匹配的衬底上生长得到亚稳态的InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格，其中生长温度为280‑400℃；将亚稳态的InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格进行退火处理，得到稳态的InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格；退火处理的温度为200‑400℃，温度保持时间为0.5‑2min。本申请提供的InAs‑InGaAsSbⅡ类超晶格的制备方法，可以实现对同生长参数同周期同组分MBE生长条件的超晶格的发光波段进行调控，以满足不同领域的应用需求。
申请人信息
- 申请人:长春理工大学
- 申请人地址:130000 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号
- 发明人: 长春理工大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格及其制备方法和红外探测器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311862183.3 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117747714A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 长春理工大学 |
| 发明人 | 方铉; 郝誉; 王登魁; 王东博; 周陶杰; 房丹; 闫昊; 翟英娇; 楚学影; 李金华 |
| 地址 | 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 |
专利主权项内容
1.一种InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格的制备方法，其特征在于，包括：使用MBE方法在晶格匹配的衬底上生长得到亚稳态的InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格，其中生长温度为280-400℃；将所述亚稳态的InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格进行退火处理，得到稳态的InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格；所述退火处理的温度为200-400℃，温度保持时间为0.5-2min。