← 返回列表
一种石墨碳化硅复合材料及石墨表面碳化硅的沉积工艺
摘要文本
本发明涉及复合材料技术领域,本发明公开了一种石墨碳化硅复合材料及石墨表面碳化硅的沉积工艺,沉积工艺采用化学气相沉积方法,以氢气和MTS为反应气体;在沉积过程中,至少一次改变MTS或氢气的通入量,实现在石墨表面连续沉积碳化硅复合涂层;所述碳化硅复合涂层包括至少一层靠近石墨层的富碳区域和远离石墨层的富碳化硅区域。本发明制备工艺简单,通过从表面富碳化硅区域到富碳区域再到石墨层材料可以分阶段消除石墨基材和CVD碳化硅涂层之间产生的热膨胀差,可以更有效地抑制由于热膨胀的差异而引起的膜层开裂和剥离。
申请人信息
- 申请人:成都超纯应用材料有限责任公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市双流区西航港空港二路1166号
- 发明人: 成都超纯应用材料有限责任公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种石墨碳化硅复合材料及石墨表面碳化硅的沉积工艺 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311629512.X |
| 申请日 | 2023/12/1 |
| 公告号 | CN117328036A |
| 公开日 | 2024/1/2 |
| IPC主分类号 | C23C16/32 |
| 权利人 | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
| 发明人 | 柴杰; 白秋云 |
| 地址 | 四川省成都市双流区西航港空港二路1166号 |
专利主权项内容
1.一种石墨表面碳化硅的沉积工艺,采用化学气相沉积方法,以氢气和MTS为反应气体;其特征在于,在沉积过程中,至少一次改变MTS或氢气的通入量,实现在石墨表面连续沉积碳化硅复合涂层;所述碳化硅复合涂层包括至少一层靠近石墨层的富碳区域和远离石墨层的富碳化硅区域。