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一种等摩尔比高熵合金空位性质的数值模拟研究方法
摘要文本
本发明公开了一种等摩尔比高熵合金空位性质的数值模拟研究方法，涉及新材料点缺陷数值模拟技术领域，包括以下步骤：1)利用FindIt软件查找等摩尔比高熵合金中每个金属单质的结构，得到晶格参数；2)利用ATAT软件寻找等摩尔比高熵合金的SQS超胞模型；3)利用VASP软件对SQS超胞结构进行优化；4)构建等摩尔比高熵合金空位模型；5)对金属单质及含空位的晶体模型进行第一性原理计算模拟，计算金属单质及所有含空位的等摩尔比高熵合金晶胞的能量；6)计算所有空位的形成能，并从局域环境中的不同角度分析空位的形成特点及对空位形成的影响因素。从理论上揭示等摩尔比高熵合金中空位的形成机理及影响因素。 数据由马 克 数 据整理
申请人信息
- 申请人:中国核动力研究设计院
- 申请人地址:610000 四川省成都市双流区长顺大道一段328号
- 发明人: 中国核动力研究设计院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种等摩尔比高熵合金空位性质的数值模拟研究方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311536046.0 |
| 申请日 | 2023/11/17 |
| 公告号 | CN117521382A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | G06F30/20 |
| 权利人 | 中国核动力研究设计院 |
| 发明人 | 王青青; 孔祥刚; 吴璐; 伍晓勇; 潘荣剑; 覃检涛; 信天缘; 滕常青; 邓志勇; 张伟; 王桢; 方忠强; 莫华均; 毛建军; 赵鑫 |
| 地址 | 四川省成都市双流区长顺大道一段328号 |
专利主权项内容
1.一种等摩尔比高熵合金空位性质的数值模拟研究方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：利用FindIt软件查找等摩尔比高熵合金中每个金属单质的结构，得到每个金属单质的晶格参数；步骤2：利用ATAT软件寻找等摩尔比高熵合金的SQS超胞模型，并将得到的结构文件转换为VASP软件文件格式；步骤3：利用VASP软件对得到的SQS超胞结构进行优化，得到等摩尔比高熵合金的晶格参数；步骤4：构建等摩尔比高熵合金空位模型；步骤5：对等摩尔比高熵合金中的金属单质及含空位的等摩尔比高熵合金晶体模型进行第一性原理计算模拟，计算等摩尔比高熵合金中金属单质及所有含空位的等摩尔比高熵合金晶胞的能量；步骤6：根据步骤5中计算得到的能量计算所有空位的形成能，并从局域环境中的不同角度分析空位的形成特点及对空位形成的影响因素。