具有左右栅结构的SGTMOS器件及其制备方法、芯片
摘要文本
本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有左右栅结构的SGTMOS器件及其制备方法、芯片，其中，漏极层、N型衬底层以及N型漂移层层叠设置，且N型漂移层设置为凹形结构，通过在N型漂移层的凹槽底部形成相对的第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区，且第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区分别设置于N型漂移层的两侧部下方，可以在凹槽底部形成耗尽层，降低屏蔽栅下方圆角位置的峰值电场，提升器件的击穿电压，并通过在N型漂移层的凹槽的两侧壁分别形成第一N型掺杂区和第二N型掺杂区，可以减小耗尽区的宽度，达到减小导通电阻、提升器件的性能的目的。
申请人信息
- 申请人:天狼芯半导体(成都)有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室
- 发明人: 天狼芯半导体(成都)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 具有左右栅结构的SGTMOS器件及其制备方法、芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311812524.6 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN117497568A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 天狼芯半导体(成都)有限公司 |
| 发明人 | 景俊豪 |
| 地址 | 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都市高新区吉泰五路88号3栋42楼1号 |
专利主权项内容
1.一种具有左右栅结构的SGTMOS器件，其特征在于，所述具有左右栅结构的SGTMOS器件包括：N型衬底层以及形成于N型衬底层正面的N型漂移层；漏极层，形成于所述N型衬底层的背面；第一N型掺杂区、第二N型掺杂区，分别形成于所述N型漂移层的凹槽两侧壁；其中，所述N型漂移层为凹型结构；第一P阱、第二P阱，分别设于所述N型漂移层的两侧部上方；第一N型源区、第二N型源区，分别设于所述第一P阱和所述第二P阱上；第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区，设于所述N型漂移层的底部，且分别位于所述N型漂移层的两侧部下方；栅极介质层、屏蔽栅多晶硅层，所述栅极介质层隔离所述屏蔽栅多晶硅层；第一栅极导电多晶硅层、第二栅极导电多晶硅层，分别位于所述屏蔽栅多晶硅层的两侧，且与所述屏蔽栅多晶硅层之间由所述栅极介质层隔离；屏蔽栅电极层，通过封装层与所述屏蔽栅多晶硅层接触；第一栅极电极、第二栅极电极，通过所述封装层分别与所述第一栅极导电多晶硅层、所述第二栅极导电多晶硅层接触；第一源极电极、第二源极电极，所述第一源极电极通过所述封装层上的通孔分别与所述第一N型源区和所述第一P阱接触；所述第二源极电极通过所述封装层上的通孔分别与所述第二N型源区和所述第二P阱接触。 数据由马 克 团 队整理