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一种光接收机用宽带可变增益放大器

申请号: CN202311694974.X
申请人: 成都明夷电子科技有限公司
申请日期: 2023/12/12

摘要文本

来源:百度马 克 数据网 。本发明公开了一种光接收机用宽带可变增益放大器,包括级联的跨导级和跨阻级,所述跨阻级的输入管为NMOS晶体管M9b和M15b,所述跨导级的输入管为NMOS晶体管M10b和M16b;所述NMOS晶体管M10b的负载由PMOS晶体管M7b和电阻R2b构成,NMOS晶体管M16b的负载由PMOS晶体管M14b和电阻R5b构成;可调电容阵列分别跨接在跨阻级和跨导级的输出端;所述NMOS晶体管M9b和M15b的栅极与漏级之间分别设置有可调负载阵列单元。本发明通过负载的引入吸收可调负载阵列中的电流,使得整体电路的电源电压降低。本发明通过可调负载阵列拓展带宽,有效调整电路的平坦度特性,具有较好的实用性。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种光接收机用宽带可变增益放大器
专利类型 发明授权
申请号 CN202311694974.X
申请日 2023/12/12
公告号 CN117411445B
公开日 2024/3/12
IPC主分类号 H03F3/08
权利人 成都明夷电子科技有限公司
发明人 祝晓辉; 赵欣; 陶蕤; 李广生
地址 四川省成都市高新区德华路333号谢威中心A座9层

专利主权项内容

1.一种光接收机用宽带可变增益放大器,其特征在于,包括增益放大电路单元、可调负载阵列单元和可调电容阵列单元;所述增益放大电路单元包括级联的跨导级和跨阻级,所述跨阻级的输入管为NMOS晶体管M和M,所述跨导级的输入管为NMOS晶体管M和M;所述NMOS晶体管M的负载由PMOS晶体管M和电阻R构成,NMOS晶体管M的负载由PMOS晶体管M和电阻R构成;可调电容阵列单元分别跨接在跨阻级和跨导级的输出端,所述NMOS晶体管M的漏级分别与PMOS晶体管M、电阻R、NMOS晶体管M的栅极和可调电容阵列单元连接,所述NMOS晶体管M的漏级分别与PMOS晶体管M、电阻R、NMOS晶体管M的栅极和可调电容阵列单元连接;所述NMOS晶体管M和NMOS晶体管M的栅极与漏级之间分别设置有可调负载阵列单元;信号输入端IN+和信号输入端IN-分别与NMOS晶体管M、NMOS晶体管M的栅极连接,信号输出端OUT+和信号输出端OUT-分别与NMOS晶体管M、NMOS晶体管M的漏极连接;9b15b10b16b10b7b2b16b14b5b10b7b2b9b16b14b5b15b9b15b1b1b10b16b1b1b9b15b所述可调负载阵列单元包括第一支路、第二支路;信号输入端IN分别与第一支路、第二支路连接,所述第二支路的尾端与信号输入端IN连接;所述第一支路包括若干个并联支路,所述并联支路上设置有串联的电容C和射频开关SW,所述射频开关SW的另一端接地;所述第二支路上设置有若干个并联的电阻R与射频开关SW。1c2cncn1cn1cmcm2c 百度搜索马 克 数 据 网