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驱动信号输入检测电路、GaN栅驱动器和MOSFET栅驱动器
摘要文本
本发明公开了驱动信号输入检测电路、GaN栅驱动器和MOSFET栅驱动器,涉及集成电路设计技术领域,包括:沿驱动信号输入至输出的方向,依次连接有输入保护、迟滞检测、电平位移和输出整形;其中,输入保护、迟滞检测、电平位移和输出整形的接地为栅驱动器的信号地,输出整形的供电电压源为栅驱动器的供电电压源;在迟滞检测与供电电压之间连接一个电源缓冲器,电源缓冲器产生一个相对于所述信号地的电源轨对迟滞检测进行供电;电源缓冲器产生的电源轨和栅驱动器连接的供电电压源共同作为电平位移的供电电压源。本发明利用电源缓冲器对内部电源和地之间的电压抖动进行过滤,能够在不衰减速度的情况下显著提升对电源‑地之间电压大幅度抖动的抗干扰能力。
申请人信息
- 申请人:成都氮矽科技有限公司; 深圳氮芯科技有限公司
- 申请人地址:610096 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府五街168号5楼501室
- 发明人: 成都氮矽科技有限公司; 深圳氮芯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 驱动信号输入检测电路、GaN栅驱动器和MOSFET栅驱动器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311822959.9 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN117477918A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H02M1/08 |
| 权利人 | 成都氮矽科技有限公司; 深圳氮芯科技有限公司 |
| 发明人 | 秦尧; 罗鹏; 刘家才 |
| 地址 | 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府五街168号5楼501室; 广东省深圳市前海深港合作区南山街道梦海大道5188号前海深港青年梦工场北区4栋201A |
专利主权项内容
1.一种驱动信号输入检测电路,其特征在于,应用于栅驱动器,包括:沿驱动信号输入至输出的方向,依次连接有输入保护、迟滞检测、电平位移和输出整形;其中,所述输入保护、迟滞检测、电平位移和输出整形的接地为栅驱动器的信号地,所述输出整形的供电电压为栅驱动器连接的供电电压源;在所述迟滞检测与供电电压源之间连接一个电源缓冲器,所述电源缓冲器产生一个相对于所述信号地的电源轨对所述迟滞检测进行供电;所述电源缓冲器产生的电源轨和栅驱动器连接的供电电压源共同作为所述电平位移的供电电压源。。更多数据: