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电压降签核方法、电子设备及存储介质
摘要文本
本公开提供了一种电压降签核方法、电子设备及存储介质，涉及芯片技术领域，所述方法包括：基于芯片对应的等效数学模型，确认芯片中的至少一个热点区域；对所述至少一个热点区域进行修复，基于修复后第一目标节点的相邻节点的电压参数和所述相邻节点与第一目标节点之间的电导值确认修复后第一目标节点的电压参数；响应于电压参数在目标阈值外，则再次对修复后第一目标节点进行修复，并确认多次修复后第一目标节点的电压参数，直至响应于多次修复后第一目标节点的电压参数目标阈值内，则确认所述第一目标节点的电压降签核完成；如此，可以提升电压降签核的效率，节省电压降签核使用的时间和资源。
申请人信息
- 申请人:成都行芯科技有限公司
- 申请人地址:610095 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区剑南大道中段716号1栋13层1302号附1号
- 发明人: 成都行芯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 电压降签核方法、电子设备及存储介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311823654.X |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117494654A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | G06F30/398 |
| 权利人 | 成都行芯科技有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名; 请求不公布姓名 |
| 地址 | 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区剑南大道中段716号1栋13层1302号附1号 |
专利主权项内容
1.一种电压降签核方法，其特征在于，所述方法包括：基于芯片对应的等效数学模型，确认至少一个热点区域；对所述至少一个热点区域进行修复，基于修复后第一目标节点的相邻节点的电压参数和所述相邻节点与第一目标节点之间的电导值确认修复后第一目标节点的电压参数，所述电压参数包括电压和电压降；响应于修复后第一目标节点的电压参数在目标阈值外，则再次对修复后第一目标节点进行修复，并确认多次修复后第一目标节点的电压参数，直至响应于多次修复后第一目标节点的电压参数目标阈值内，则确认所述第一目标节点的电压降签核完成；其中，所述第一目标节点为所述至少一个热点区域中任一节点。 （来 自 马 克 数 据 网）