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一种共源共栅放大器电路及电路版图
摘要文本
本申请涉及放大器电路技术领域,尤其涉及一种共源共栅放大器电路及电路版图,共源共栅放大器电路,包括:共源场效应晶体管、共栅场效应晶体管和栅极旁路电容;共源场效应晶体管的栅极连接信号输入端,漏极连接共栅场效应晶体管的漏极,源极接地;共栅场效应晶体管的源极连接信号输出端,栅极通过栅极旁路电容接地。本申请中的技术方案利用了场效应晶体管的漏极和源极可以互换的原理,采用了和现有共源共栅放大器电路不同的设计方法,本申请中将共源场效应晶体管的漏极连接共栅场效应晶体管的漏极,同样实现了共源共栅架构。通过本申请中的共源共栅放大器电路实现的版图不仅设计更为紧凑,同时也能提高共源共栅放大器电路在高频段的增益和稳定性。
申请人信息
- 申请人:成都天成电科科技有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市高新区肖家河环三巷2号
- 发明人: 成都天成电科科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种共源共栅放大器电路及电路版图 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311774655.X |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN117439556B |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H03F3/193 |
| 权利人 | 成都天成电科科技有限公司 |
| 发明人 | 刘伟 |
| 地址 | 四川省成都市高新区肖家河环三巷2号 |
专利主权项内容
1.一种共源共栅放大器电路,其特征在于,包括:共源场效应晶体管、共栅场效应晶体管和栅极旁路电容;所述共源场效应晶体管的栅极连接信号输入端,漏极连接共栅场效应晶体管的漏极,源极接地;所述共栅场效应晶体管的源极连接信号输出端,栅极通过所述栅极旁路电容接地。