一种SGTMOS器件及其制备方法、芯片

专利主权项内容

1.一种SGTMOS器件，其特征在于，所述SGTMOS器件包括：漏极层、N型衬底层、N型漂移层、P型重掺杂层、第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、屏蔽栅多晶硅层、栅极导电多晶硅层、第一P阱、第二P阱、第一N型源区、第二N型源区、第一源极层、第二源极层、栅极层、栅极介质层；所述漏极层、所述N型衬底层以及所述N型漂移层层叠设置，且所述N型漂移层为凹形结构，所述P型重掺杂层形成于所述N型漂移层的凹槽底部，所述第一N型掺杂区和所述第二N型掺杂区分别形成于所述N型漂移层的凹槽两侧壁；所述屏蔽栅多晶硅层形成于所述N型漂移层的凹槽内，且与所述第一N型掺杂区、所述第二N型掺杂区之间由所述栅极介质层隔离；所述第一P阱和所述第二P阱分别设于所述N型漂移层的两侧部上方，所述第一N型源区、所述第二N型源区分别设于所述第一P阱和所述第二P阱上；所述栅极导电多晶硅层形成于所述屏蔽栅多晶硅层上方，且与所述屏蔽栅多晶硅层、所述第一P阱、所述第二P阱、所述第一N型源区、所述第二N型源区之间由所述栅极介质层隔离；所述第一源极层和所述第二源极层分别通过所述第一N型源区、所述第二N型源区上的通孔与所述第一P阱、所述第二P阱接触，所述栅极层与所述栅极导电多晶硅层接触。