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一种具有SiO2薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法

申请号: CN202311791502.6
申请人: 成都莱普科技股份有限公司
申请日期: 2023/12/25

摘要文本

本申请公开了一种具有SiO2薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法,属于发电玻璃技术领域。该制备方法包括:在碲化镉发电玻璃母材的向光面上涂覆由纳米SiO2颗粒组成的悬浊液,形成SiO2涂层;之后利用热板对碲化镉发电玻璃母材进行烘干;随后采用CO2激光器,对碲化镉发电玻璃母材的SiO2涂层表面进行整片扫描,扫描过程中控制SiO2涂层处的温度为400‑450℃,使SiO2涂层固化形成厚度为90‑150nm的SiO2薄膜。本申请通过采用CO2激光扫描的方式在玻璃表面固化一层SiO2薄膜的方式,不但能够有效避免玻璃背光面的电路在氧化硅固化过程中造成损伤,而且还能有效降低发电玻璃的反射率,提高其光电转换效率。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种具有SiO2薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311791502.6
申请日 2023/12/25
公告号 CN117712192A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 H01L31/0216
权利人 成都莱普科技股份有限公司
发明人 陈冬冬; 赵磊; 王晓峰; 何刘; 潘岭峰; 黄永忠
地址 四川省成都市高新区安泰七路66号9号厂房1-3层

专利主权项内容

1.一种具有SiO薄膜的碲化镉发电玻璃的制备方法,其特征在于,其包括:2在碲化镉发电玻璃母材的向光面上涂覆SiO悬浊液,形成SiO涂层;22对所述碲化镉发电玻璃母材进行烘干;随后采用CO激光器,对所述碲化镉发电玻璃母材的所述SiO涂层表面进行整片扫描,控制所述SiO涂层处的温度为400-450℃,使所述SiO涂层固化形成厚度为90-150nm的SiO薄膜。22222