← 返回列表
一种具有SiO2薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法
摘要文本
本申请公开了一种具有SiO2薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法,属于发电玻璃技术领域。该制备方法包括:在碲化镉发电玻璃母材的向光面上涂覆由纳米SiO2颗粒组成的悬浊液,形成SiO2涂层;之后利用热板对碲化镉发电玻璃母材进行烘干;随后采用CO2激光器,对碲化镉发电玻璃母材的SiO2涂层表面进行整片扫描,扫描过程中控制SiO2涂层处的温度为400‑450℃,使SiO2涂层固化形成厚度为90‑150nm的SiO2薄膜。本申请通过采用CO2激光扫描的方式在玻璃表面固化一层SiO2薄膜的方式,不但能够有效避免玻璃背光面的电路在氧化硅固化过程中造成损伤,而且还能有效降低发电玻璃的反射率,提高其光电转换效率。
申请人信息
- 申请人:成都莱普科技股份有限公司
- 申请人地址:610095 四川省成都市高新区安泰七路66号9号厂房1-3层
- 发明人: 成都莱普科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种具有SiO2薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311791502.6 |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117712192A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L31/0216 |
| 权利人 | 成都莱普科技股份有限公司 |
| 发明人 | 陈冬冬; 赵磊; 王晓峰; 何刘; 潘岭峰; 黄永忠 |
| 地址 | 四川省成都市高新区安泰七路66号9号厂房1-3层 |
专利主权项内容
1.一种具有SiO薄膜的碲化镉发电玻璃的制备方法,其特征在于,其包括:2在碲化镉发电玻璃母材的向光面上涂覆SiO悬浊液,形成SiO涂层;22对所述碲化镉发电玻璃母材进行烘干;随后采用CO激光器,对所述碲化镉发电玻璃母材的所述SiO涂层表面进行整片扫描,控制所述SiO涂层处的温度为400-450℃,使所述SiO涂层固化形成厚度为90-150nm的SiO薄膜。22222