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用于合封器件的过温保护电路、方法及半导体器件
摘要文本
本发明提供了一种用于合封器件的过温保护电路、方法及半导体器件。过温保护电路采样流过主控制芯片中的功率开关的电流的峰值，并将采样的电流峰值和峰值参考信号比较产生误差信号，同时用该误差信号调整过温阈值。过温保护电路还用于采样主控制芯片的温度，当主控制芯片的温度上升到过温阈值时，过温指示电路指示过温。该过温保护电路不但可以对合封器件中的主控制芯片进行过温保护，还可以对合封器件中的分离开关器件进行过温保护，电路设计灵活，可靠性高。
申请人信息
- 申请人:晶艺半导体有限公司
- 申请人地址:610041 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区蜀锦路88号1栋2单元14层1403
- 发明人: 晶艺半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 用于合封器件的过温保护电路、方法及半导体器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311387951.4 |
| 申请日 | 2023/10/25 |
| 公告号 | CN117394274A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | H02H5/04 |
| 权利人 | 晶艺半导体有限公司 |
| 发明人 | 汤川洋 |
| 地址 | 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区蜀锦路88号1栋2单元14层1403 |
专利主权项内容
1.一种用于半导体合封器件的过温保护电路，其特征在于，所述合封器件包括主控制芯片和分离开关器件，所述主控制芯片包括功率开关和所述过温保护电路，所述主控制芯片和分离开关器件在所述合封器件内部耦接，所述过温保护电路包括：峰值电流采样电路，采样流过主控制芯片中的功率开关的电流，并产生代表流过功率开关的电流的峰值的峰值电流采样信号；误差放大电路，具有第一输入端、第二输入端和输出端，误差放大电路的第一输入端接收峰值电流采样信号，误差放大电路的第二输入端接收峰值参考信号，误差放大电路将峰值电流采样信号和峰值参考信号比较，并在误差放大电路的输出端产生代表峰值电流采样信号和峰值参考信号之间差值的误差信号；以及过温指示模块，接收所述误差信号，并根据误差信号产生过温阈值，所述过温指示模块还用于采样主控制芯片的温度，当主控制芯片的温度上升到所述过温阈值时，所述过温指示模块在其输出端输出过温指示信号用于指示所述合封器件过温。 马 克 数 据 网