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一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法
摘要文本
本发明涉及一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，属于微电子制作技术领域。方法步骤为：S1：在碳化硅衬底上沉积双层所需金属；S2：在金属层上旋涂光刻胶，制备光刻胶阻挡层；S3：对上层金属进行湿法刻蚀，形成上层金属沟槽；S4：纯氧等离子体干法去除光刻胶阻挡层；S5：采用等离子体化学气相沉积方式生长氧化层；S6：以步骤S2相同图形进行套刻，形成新的光刻胶阻挡层；S7：对下层金属进行干法刻蚀；S8：去除表面光刻胶阻挡层。本发明简单易操作，在降低生产成本的前提下，使得金属刻蚀精度稳定，减小线宽损失，既不进一步放大湿法腐蚀造成的不良影响，也能提高金属层与基底界面质量，获得良好的刻蚀形貌，减小漏电，从而提高器件电学性能。
申请人信息
- 申请人:山东大学
- 申请人地址:250100 山东省济南市历城区山大南路27号
- 发明人: 山东大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311623560.8 |
| 申请日 | 2023/11/30 |
| 公告号 | CN117637470A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L21/3213 |
| 权利人 | 山东大学 |
| 发明人 | 钟宇; 苑登文; 韩吉胜; 汉多科·林纳威赫 |
| 地址 | 山东省济南市历下区经十路17923号 |
专利主权项内容
1.一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，其特征在于，步骤如下：S1：在碳化硅衬底上物理气相沉积双层所需金属；S2：沉积后观察无误，在金属层上旋涂光刻胶，经过曝光、显影、硬烘，形成光刻胶阻挡层；S3：配制上层金属腐蚀混合液，对上层金属进行湿法刻蚀，形成上层金属沟槽；S4：纯氧等离子体干法去除光刻胶阻挡层；S5：采用等离子体化学气相沉积方式生长氧化层；S6：步骤S4光刻胶去除干净，且步骤S5中氧化层生长完毕后，以步骤S2相同图形进行套刻，再次形成新的光刻胶阻挡层；S7：采用感应耦合等离子体刻蚀机对下层金属进行干法刻蚀；S8：通过光学发射光谱法监控刻蚀完成后，去除表面光刻胶阻挡层。