一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法
摘要文本
本发明涉及一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法，属于微电子领域，四部分电容为并联状态，故总栅电容CG＝2(C1+C2+C3)+C4；根据其它结构尺寸固定的情况下，仅改变d4或d3，测试得到不同器件的栅电容值CG，分别计算得到C4和C3，将相同尺寸和材料的栅极直接沉积在栅氧化层上，栅极与N+‑SiC之间形成的电容即为C1，通过栅极电容测试可直接得到栅电容值C1；P‑SiC形成的沟道电容C2＝(CG‑C4)/2‑C1‑C3。本发明采用器件结构设计结合电容测试线性拟合的方法，将器件的整体电容分块提取，分别精确得到了各部分的栅电容，为器件结构设计优化提供指导。
申请人信息
- 申请人:山东大学
- 申请人地址:250100 山东省济南市历城区山大南路27号
- 发明人: 山东大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311157957.2 |
| 申请日 | 2023/9/8 |
| 公告号 | CN117410194A |
| 公开日 | 2024/1/16 |
| IPC主分类号 | H01L21/66 |
| 权利人 | 山东大学 |
| 发明人 | 崔鹏; 王柳; 韩吉胜; 汉多科·林纳威赫; 徐现刚 |
| 地址 | 山东省济南市历下区经十路17923号 |
专利主权项内容
1.一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法，其特征在于，各部分栅电容及器件沟道电容包括C、C、C和C四部分，其中C为N-SiC电容，C为P-SiC形成的沟道电容，C为纵向N-SiC电容，C为横向N-SiC电容，d、d、d分别为N-SiC厚度、P-SiC厚度、N-SiC外延层厚度，d为凹槽内栅极的横向宽度，四部分电容为并联状态，故总栅电容C＝2(C+C+C)+C；器件的总栅电容值C能够测试得到；12341+234123+4G1234G根据其它结构尺寸固定的情况下，C或C与d成线性关系，通过器件工艺制备出其他参数均相同，仅d长度不同的多个MOSFET器件，测试得到不同d器件的栅电容值C，计算得到C；G4444G4根据其它结构尺寸固定的情况下，C或C与d成线性关系，通过器件工艺制备出其他参数均相同，仅d长度不同的多个MOSFET器件，测试得到不同d器件的栅电容值C，计算得到C；G3333G3将相同尺寸和材料的栅极直接沉积在栅氧化层上，栅极与N-SiC之间形成的电容即为C，通过栅极电容测试可直接得到栅电容值C；P-SiC形成的沟道电容C＝(C-C)/2-C-C。112G413