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用于电子封装的高导热低介电常数TPU及其制备方法

申请号: CN202311786158.1
申请人: 山东一诺威聚氨酯股份有限公司
申请日期: 2023/12/25

摘要文本

本发明公开了用于电子封装的高导热低介电常数TPU及其制备方法,属于热塑性聚氨酯弹性体技术领域。其技术方案为:由以下质量百分比的原料在催化剂的催化作用下制成:聚酯多元醇39.5‑57.5%、二异氰酸酯12.5‑19%、全氟多碳扩链剂9.5‑22%、改性纳米MnO2 10‑15%、氟化石墨烯5‑10%、催化剂0.1‑0.5%;其中,改性纳米MnO2为硅烷偶联剂KH‑550改性的纳米MnO2;氟化石墨烯为氟化石墨经液相超声剥离法制备得到的纳米片。本发明制备的复合TPU材料同时兼具高导热性能、低介电常数和优异的耐析出及力学性能,可广泛应用于电子封装、电线电缆等领域。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 用于电子封装的高导热低介电常数TPU及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311786158.1
申请日 2023/12/25
公告号 CN117447675A
公开日 2024/1/26
IPC主分类号 C08G18/66
权利人 山东一诺威聚氨酯股份有限公司
发明人 刘永成; 管永; 黄连超; 王真; 张寰; 马超
地址 山东省淄博市高新区宝山路5577号

专利主权项内容

1. 用于电子封装的高导热低介电常数TPU,其特征在于,由以下质量百分比的原料在催化剂的催化作用下制成:聚酯多元醇39.5-57.5%二异氰酸酯12.5-19%全氟多碳扩链剂9.5-22%改性纳米MnO10-15%2氟化石墨烯5-10%催化剂0.1-0.5%;其中,改性纳米MnO为硅烷偶联剂KH-550改性的纳米MnO;氟化石墨烯为氟化石墨经液相超声剥离法制备得到的纳米片。<<。来自:马 克 团 队