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异质结电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统
摘要文本
本发明涉及一种异质结电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。异质结电池包括：基底；第一本征硅层、第一掺杂层和第一透明导电层，依次层叠设置于第一表面；以及第二本征硅层、第二掺杂层和第二透明导电层，依次层叠设置于第二表面；第一掺杂层的掺杂类型与第二掺杂层的掺杂类型相反；其中，第一透明导电层覆盖第一表面的至少部分表面，第二透明导电层覆盖第二表面和多个侧面的至少部分表面，第一透明导电层的边缘和第二透明导电层的边缘间隔设置，以在第一透明导电层的边缘和第二透明导电层的边缘之间界定出隔离区。本发明的异质结电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统的效率较高。
申请人信息
- 申请人:天合光能股份有限公司
- 申请人地址:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 发明人: 天合光能股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 异质结电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311746956.1 |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN117423754A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L31/0216 |
| 权利人 | 天合光能股份有限公司 |
| 发明人 | 杨广涛; 陈达明; 陈奕峰; 李宏伟 |
| 地址 | 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 |
专利主权项内容
1.一种异质结电池，其特征在于，包括：基底，包括相对设置的第一表面、第二表面、以及邻接于所述第一表面和所述第二表面之间的多个侧面；第一本征硅层、第一掺杂层和第一透明导电层，所述第一本征硅层、第一掺杂层和所述第一透明导电层依次层叠设置于所述第一表面；以及第二本征硅层、第二掺杂层和第二透明导电层，所述第二本征硅层、第二掺杂层和所述第二透明导电层依次层叠设置于所述第二表面；所述第一掺杂层的掺杂类型与所述第二掺杂层的掺杂类型相反；其中，所述第一透明导电层覆盖所述第一表面的至少部分表面，所述第二透明导电层覆盖所述第二表面和所述多个侧面的至少部分表面，所述第一透明导电层的边缘和所述第二透明导电层的边缘间隔设置，以在所述第一透明导电层的边缘和所述第二透明导电层的边缘之间界定出隔离区。。更多数据：