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太阳能电池和太阳能电池的制造方法
摘要文本
本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制造方法，该太阳能电池包括：硅衬底；隧穿层和多晶硅层，依次形成在硅衬底的背面；介电层，形成在多晶硅层的背面；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均贯穿介电层，并与多晶硅层接触；第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区起始于第一电极并延伸至硅衬底的内部，第二掺杂区起始于第二电极并延伸至硅衬底的内部；隔离槽，位于第一掺杂区和第二掺杂区之间，隔离槽至少深入至多晶硅层中预设深度。本申请的太阳能电池和太阳能电池的制造方法具有效率高和成本低的优势。 来源：百度搜索专利查询网
申请人信息
- 申请人:天合光能股份有限公司
- 申请人地址:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 发明人: 天合光能股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 太阳能电池和太阳能电池的制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311715970.5 |
| 申请日 | 2023/12/14 |
| 公告号 | CN117497626A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L31/068 |
| 权利人 | 天合光能股份有限公司 |
| 发明人 | 杨广涛 |
| 地址 | 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 |
专利主权项内容
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅衬底；隧穿层和多晶硅层，依次形成在所述硅衬底的背面；介电层，形成在所述多晶硅层的背面；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极贯穿所述介电层，并与所述多晶硅层接触；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区起始于所述第一电极并延伸至所述硅衬底的内部，所述第二掺杂区起始于所述第二电极并延伸至所述硅衬底的内部；以及隔离槽，位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间，所述隔离槽至少深入至所述多晶硅层中预设深度。 该数据由<马克数据网>整理