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异质结电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统
摘要文本
本发明涉及一种异质结电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。异质结电池包括基底、依次层叠设置在基底第一侧表面的第一本征非晶硅层、第一硅材料层和第一透明导电氧化物层；异质结电池还包括透明导电氧化物图案、减反射层和第一金属电极，透明导电氧化物图案和减反射层设于第一透明导电氧化物层的背离基底的表面上的不同区域，第一金属电极层层叠设于透明导电氧化物图案背离基底的表面。本发明的异质结电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统异质结电池光学吸收损失较小，效率较高。 关注公众号专利查询网
申请人信息
- 申请人:天合光能股份有限公司
- 申请人地址:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 发明人: 天合光能股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 异质结电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311380099.8 |
| 申请日 | 2023/10/23 |
| 公告号 | CN117423766A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L31/0747 |
| 权利人 | 天合光能股份有限公司 |
| 发明人 | 霍亭亭; 杨广涛; 陈达明; 李宏伟; 白焱辉; 孟子博; 侯承利; 殷志豪 |
| 地址 | 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 |
专利主权项内容
1.一种异质结电池，其特征在于，包括基底、依次层叠设置在所述基底第一侧表面的第一本征非晶硅层、第一硅材料层和第一透明导电氧化物层；所述异质结电池还包括透明导电氧化物图案、减反射层和第一金属电极，所述透明导电氧化物图案和所述减反射层设于所述第一透明导电氧化物层的背离所述基底的表面上的不同区域，所述第一金属电极层层叠设于所述透明导电氧化物图案背离所述基底的表面。