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一种全背接触电池结构及其制备方法
摘要文本
本发明涉及一种全背接触电池结构及其制备方法，所述全背接触太阳能电池结构包括衬底，所述衬底包括相对的正面与背面；沿第一方向，所述衬底的背面交替排布第一功能区与第二功能区；所述第一功能区与相邻的第二功能区之间设置隔离区，所述隔离区使第一功能区中的第一发射极与第二功能区中的第二发射极空间隔离，并使第一功能区的第一扩散层与至少1个相邻第二功能区中的第二扩散层接触。本发明提供的全背接触电池结构能够降低反向击穿电压，提升了组件的可靠性，且能够兼顾电池效率。 （来源 专利查询网）
申请人信息
- 申请人:天合光能股份有限公司
- 申请人地址:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 发明人: 天合光能股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种全背接触电池结构及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311390094.3 |
| 申请日 | 2023/10/25 |
| 公告号 | CN117334760A |
| 公开日 | 2024/1/2 |
| IPC主分类号 | H01L31/0224 |
| 权利人 | 天合光能股份有限公司 |
| 发明人 | 柳伟; 胡匀匀; 刘志远; 陈达明 |
| 地址 | 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 |
专利主权项内容
1.一种全背接触电池结构，其特征在于，所述全背接触太阳能电池结构包括衬底，所述衬底包括相对的正面与背面；沿第一方向，所述衬底的背面交替排布第一功能区与第二功能区；所述第一方向与衬底的厚度方向相交；沿远离衬底的方向，所述第一功能区包括层叠设置的第一扩散层、第一介电层、第一发射极与第一电极；沿远离衬底的方向，所述第二功能区包括层叠设置的第二扩散层、第二介电层、第二发射极与第二电极；所述第一功能区与相邻的第二功能区之间设置隔离区，所述隔离区使第一发射极与第二发射极空间隔离；所述隔离区的设置使所述第一扩散层与至少1个相邻的第二扩散层在隔离区的对应区域内接触。