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异质结太阳能电池及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法包括如下步骤：对硅基底进行清洗制绒处理；在硅基底的两个表面分别制备本征非晶硅层；在正面本征非晶硅层上制备N型掺杂层；在背面本征非晶硅层上制备P型掺杂层；采用RPD设备在P型掺杂层上制备背面含铟TCO种子层，利用PVD设备在背面含铟TCO种子层上制备背面无铟TCO薄膜；利用PVD设备在N型掺杂层上制备正面含铟TCO种子层，并在正面含铟TCO种子层上制备正面无铟TCO薄膜；以及分别制备背面电极、正面电极。本申请可以有效增加RPD与PVD结合设备的正常运行时间以及有效运行时间，增加设备有效产能，降低电池制造成本。
申请人信息
- 申请人:天合光能股份有限公司
- 申请人地址:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 发明人: 天合光能股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 异质结太阳能电池及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311619461.2 |
| 申请日 | 2023/11/30 |
| 公告号 | CN117423781A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 天合光能股份有限公司 |
| 发明人 | 李宏伟; 侯承利; 段誉; 杨广涛; 陈达明 |
| 地址 | 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 |
专利主权项内容
关注微信公众号马克数据网 。1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：对硅基底进行清洗制绒处理；在硅基底的两个表面分别制备本征非晶硅层；在硅基底的正面本征非晶硅层上制备N型掺杂层；在硅基底的背面本征非晶硅层上制备P型掺杂层；采用RPD设备在所述P型掺杂层上制备背面含铟TCO种子层，利用PVD设备在所述背面含铟TCO种子层上制备背面无铟TCO薄膜；利用PVD设备在所述N型掺杂层上制备正面含铟TCO种子层，并在所述正面含铟TCO种子层上制备正面无铟TCO薄膜；以及在所述背面无铟TCO薄膜上制备背面电极以及在所述正面无铟TCO薄膜上制备正面电极。