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硅基异质结太阳能电池、制备方法、用电设备及应用
摘要文本
搜索专利查询网 本申请涉及一种硅基异质结太阳能电池、制备方法、用电设备及应用,硅基异质结太阳能电池包括沿第一方向依次设置的硅基底、第一钝化层、N型掺杂层和第一透明电极,其中,第一方向为硅基底的厚度方向中自硅基底指向第一透明电极的方向;N型掺杂层包括沿第一方向依次设置的如下多个子层:无氧种子层、含氧种子层、含氧主体层和无氧接触层。通过N型掺杂层的优化设计,不影响N型掺杂层的导电性而且不带来额外的载流子复合,整体工艺简单,制备得到的太阳能电池可以在保持填充因子的前提下提高电流密度,实现电池效率的提升。将该硅基异质结太阳能电池在光伏应用中可以较高效率地利用光能。
申请人信息
- 申请人:天合光能股份有限公司
- 申请人地址:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 发明人: 天合光能股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 硅基异质结太阳能电池、制备方法、用电设备及应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311618879.1 |
| 申请日 | 2023/11/30 |
| 公告号 | CN117525196A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01L31/0747 |
| 权利人 | 天合光能股份有限公司 |
| 发明人 | 孟子博; 李宏伟; 霍亭亭; 侯承利; 殷志豪; 段誉; 白焱辉; 杨广涛; 陈达明 |
| 地址 | 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 |
专利主权项内容
1.一种硅基异质结太阳能电池,其特征在于,包括沿第一方向依次设置的硅基底、第一钝化层、N型掺杂层和第一透明电极,其中,所述第一方向为所述硅基底的厚度方向中自所述硅基底指向所述第一透明电极的方向;所述N型掺杂层包括沿所述第一方向依次设置的如下多个子层:无氧种子层、含氧种子层、含氧主体层和无氧接触层。