← 返回列表
异质结太阳能电池及其制备方法和光伏组件
摘要文本
本公开实施例涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法和光伏组件。该异质结太阳能电池包括:基底,具有第一导电类型;隧穿层,位于基底的受光面上;多晶硅掺杂层,位于所述隧穿层的顶表面,具有第一导电类型。受光面的隧穿层和多晶硅掺杂层降低了紫外线辐射对异质结太阳能电池的受光面的破坏,降低了异质结太阳能电池光电转换效率的衰减,提高了异质结太阳能电池的效率。
申请人信息
- 申请人:天合光能股份有限公司
- 申请人地址:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 发明人: 天合光能股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 异质结太阳能电池及其制备方法和光伏组件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311748852.4 |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN117727807A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L31/0216 |
| 权利人 | 天合光能股份有限公司 |
| 发明人 | 胡匀匀; 柳伟; 陈达明 |
| 地址 | 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 |
专利主权项内容
1.一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括:基底,具有第一导电类型;隧穿层,位于所述基底的受光面上;多晶硅掺杂层,位于所述隧穿层的顶表面,具有第一导电类型。 更多数据: