← 返回列表

光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法

申请号: CN202311819755.X
申请人: 天合光能股份有限公司
申请日期: 2023/12/27

摘要文本

本申请涉及光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法。光伏电池包括:基底,基底具有沿第一方向相对设置的向光面和背光面,背光面设有第一凹槽,第一方向为基底的厚度方向;第一钝化结构,设于第一凹槽内,第一钝化结构包括覆盖于第一凹槽的槽壁的第一隧穿氧化层,以及层叠设置于第一隧穿氧化层上的第一多晶硅层;减反射层,设于基底的背光面的一侧,以覆盖背光面和第一钝化结构;第二钝化结构,设于减反射层内;包括层叠设置的第二隧穿氧化层与第二多晶硅层;第一多晶硅层与第二多晶硅层掺杂类型不同;第一钝化结构与第二钝化结构在第一方向的投影错开。该光伏电池能增大第一隧穿氧化层面积,以提高电池转换效率。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311819755.X
申请日 2023/12/27
公告号 CN117766598A
公开日 2024/3/26
IPC主分类号 H01L31/0216
权利人 天合光能股份有限公司
发明人 仇翔; 吴魁艺; 胡匀匀; 王子港; 陈达明
地址 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号

专利主权项内容

1.一种光伏电池,其特征在于,所述光伏电池包括:基底,所述基底具有沿第一方向相对设置的向光面和背光面,所述背光面设有第一凹槽,其中,所述第一方向为所述基底的厚度方向;第一钝化结构,设于所述第一凹槽内,所述第一钝化结构包括覆盖于所述第一凹槽的槽壁上的第一隧穿氧化层,以及层叠设置于所述第一隧穿氧化层上的第一多晶硅层;减反射层,设于所述基底的所述背光面的一侧,以覆盖所述背光面和所述第一钝化结构;以及第二钝化结构,设于所述减反射层内;所述第二钝化结构包括层叠设置的第二隧穿氧化层与第二多晶硅层;其中,所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层的掺杂类型不同;所述第一钝化结构与所述第二钝化结构在所述第一方向的投影相互错开设置。。 (来源 马克数据网)