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太阳能电池及其制备方法
摘要文本
本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池单晶硅衬底、第一传输结构以及第二传输结构。第一传输结构包括空穴选择性传输层以及TCO层，空穴选择性传输层设置在单晶硅衬底上，TCO层设置在空穴选择性传输层上。第二传输结构包括电子选择性传输层以及金属层，电子选择性传输层设置在单晶硅衬底上，金属层设置在电子选择性传输层上。其中，电子选择性传输层的材料功函数不大于4.5eV，能够较好地传输电子，金属层的材料选自铝、钡、铯及钙中的至少一种，与电子选择性传输层之间能够形成良好的欧姆接触，因此可以不使用TCO薄膜以提高载流子传输效果，降低了TCO的消耗量，有利于降低生产成本。 来源：马 克 团 队
申请人信息
- 申请人:天合光能股份有限公司
- 申请人地址:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 发明人: 天合光能股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 太阳能电池及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311822760.6 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN117766613A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L31/072 |
| 权利人 | 天合光能股份有限公司 |
| 发明人 | 郭丛; 杨广涛; 孟子博; 郭江东; 霍亭亭; 王永恒 |
| 地址 | 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 |
专利主权项内容
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：单晶硅衬底；第一传输结构，包括空穴选择性传输层以及TCO层，所述空穴选择性传输层设置在所述单晶硅衬底上，所述TCO层设置在所述空穴选择性传输层上；以及第二传输结构，包括电子选择性传输层以及金属层，所述电子选择性传输层设置在所述单晶硅衬底上，所述金属层设置在所述电子选择性传输层上，所述电子选择性传输层的材料功函数不大于4.5eV，所述金属层的材料选自铝、钡、铯及钙中的至少一种。 （来 自 马 克 数 据 网）