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太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统
摘要文本
本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。太阳电池包括：半导体基底，包括相对设置的第一面和第二面；半导体基底上设有沿第一方向间隔排布第一导电区和第二导电区；第一方向垂直于半导体基底的厚度方向；第一导电类型的第一发射极，设于第一面上；第一发射极上设有沟槽，沟槽将第一发射极分割为位于第一导电区的第一子发射极和位于第二导电区的第二子发射极；以及第二导电类型的第二发射极，设于第一面上，且位于第二导电区；第二发射极与第二面的距离小于第一发射极与第二面的距离。本申请有利于降低沟槽的深度，从而有利于提高太阳电池的结构强度，降低太阳电池破碎的风险。
申请人信息
- 申请人:天合光能股份有限公司
- 申请人地址:213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 发明人: 天合光能股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311724283.X |
| 申请日 | 2023/12/15 |
| 公告号 | CN117423762A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L31/0352 |
| 权利人 | 天合光能股份有限公司 |
| 发明人 | 陈达明; 柳伟; 陈奕峰; 吕东芸 |
| 地址 | 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 |
专利主权项内容
1.一种太阳电池，其特征在于，包括：半导体基底，包括相对设置的第一面和第二面；所述半导体基底上设有沿第一方向间隔排布的第一导电区和第二导电区；所述第一方向垂直于所述半导体基底的厚度方向；第一发射极，具有第一导电类型，所述第一发射极设于所述第一面上；所述第一发射极上设有沟槽，所述沟槽将所述第一发射极分割为位于所述第一导电区的第一子发射极和位于所述第二导电区的第二子发射极；以及第二发射极，具有第二导电类型，所述第二发射极设于所述第一面上，且位于所述第二导电区；所述第二发射极与所述第二面之间的最小距离，小于所述第一发射极与所述第二面之间的最小距离。