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一种半导体垂直腔面发光器件
摘要文本
本申请提供了一种半导体垂直腔面发光器件，用以提高透光率，提高发光半导体的整体量子效率的问题。沿着生长方向包括：衬底；第一N型氮化铝镓层，其中，所述第一N型氮化铝镓层的两端顶面分别形成有一对金属电极；有源层；隧穿结构层，其中，所述隧穿结构层的两端顶面分别形成有一对金属电极；反射滤光层，所述反射滤光层包括交替设置的第一滤光层和第二滤光层，所述第一滤光层和所述第二滤光层x与y之间的差值在20%到60%之间，其中部分所述第一滤光层的厚度为与之相邻的第一滤光层的厚度的两倍，或；其中一层所述第二滤光层的厚度为与之相邻的第二滤光层的厚度的两倍。。微信公众号马克 数据网
申请人信息
- 申请人:徐州立羽高科技有限责任公司
- 申请人地址:221100 江苏省徐州市高新技术产业开发区珠江东路11号徐州高新区办公大楼1220房间
- 发明人: 徐州立羽高科技有限责任公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体垂直腔面发光器件 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311747786.9 |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN117424071B |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01S5/183 |
| 权利人 | 徐州立羽高科技有限责任公司 |
| 发明人 | 吴鹏 |
| 地址 | 江苏省徐州市高新技术产业开发区珠江东路11号徐州高新区办公大楼1220房间 |
专利主权项内容
1.一种半导体垂直腔面发光器件，其特征在于，沿着生长方向包括：衬底(1)；第一N型氮化铝镓层(2)，其中，所述第一N型氮化铝镓层(2)的两端顶面分别形成有一对金属电极；有源层(3)；隧穿结构层(4)，其中，所述隧穿结构层(4)的两端顶面分别形成有一对金属电极；反射滤光层(5)，所述反射滤光层(5)对来自所述有源层(3)的 260-300纳米深紫外光的透过率高于 80%，所述反射滤光层(5)包括交替设置的第一滤光层(5a)和第二滤光层(5b)，所述第一滤光层(5a)的化学式为AlxGa(1-x)N，所述第二滤光层(5b)的材料的化学式为AlyGa(1-y)N，0<x<y≤1，且xy，x与y之间的差值在20%到60%之间；其中部分所述第一滤光层(5a)的厚度为与之相邻的第一滤光层(5a)的厚度的两倍，或；其中一层所述第二滤光层(5b)的厚度为与之相邻的第二滤光层(5b)的厚度的两倍。 （来 自 马 克 数 据 网）