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一种低压低电容的防浪涌器件及制备方法
摘要文本
本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种低压低电容的防浪涌器件及制备方法，其中低压低电容的防浪涌器件包括P型硅衬底，P型硅衬底的表面具有轻掺杂区；轻掺杂区上开设有V型槽，其上形成有N型掺磷外延层；在N型掺磷外延层上且V型槽的两侧分别形成第一隔离槽和第二隔离槽，之后在第二隔离槽之间形成有N‑区、N+区和P+区，设置钝化层后再形成金属电极。本发明通过将器件结构改为钳位二极管串联一个低电容二极管后再并联一个低电容二极管，降低了结电容，适配高速数据传输电路；并配合V型槽，使在较低掺杂浓度下也具有低击穿电压。
申请人信息
- 申请人:扬州国宇电子有限公司
- 申请人地址:225000 江苏省扬州市吴州东路188号
- 发明人: 扬州国宇电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种低压低电容的防浪涌器件及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311565143.2 |
| 申请日 | 2023/11/22 |
| 公告号 | CN117594664A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L29/861 |
| 权利人 | 扬州国宇电子有限公司 |
| 发明人 | 时浩; 王伟; 董文俊; 马文力; 李浩 |
| 地址 | 江苏省扬州市吴州东路188号 |
专利主权项内容
1.一种低压低电容的防浪涌器件，其特征在于，包括：P型硅衬底，所述P型硅衬底的表面具有轻掺杂区；V型槽，开设于所述轻掺杂区上；N型掺磷外延层，设置于所述P型硅衬底上；第一隔离槽，设置于所述V型槽的一侧；第二隔离槽，间隔设置于所述V型槽的另一侧；所述第二隔离槽由中心向外依次包括第二隔离槽A、第二隔离槽B和第三隔离槽C；薄氧层，设置于所述第一隔离槽和所述第二隔离槽上；N-区，设置于所述第二隔离槽A和第二隔离槽B之间；第一N+区，设置于所述第二隔离槽B和第二隔离槽C之间；第二N+区，设置于所述第一N+区上；P+区，设置于所述第一N+区上，所述P+区和所述第二N+区间隔设置；钝化层，设置于所述N型掺磷外延层上，所述钝化层位于所述V型槽、所述第一N+区、所述P+区和所述第二N+区顶部的区域被去除；正面金属电极，设置于所述钝化层上，所述正面金属电极分别连接所述V型槽顶部的所述N型掺磷外延层和所述第二N+区、所述P+区和所述第一N+区；背面金属电极，设置于所述P型硅衬底的背面。 关注公众号马克数据网