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一种TLC最优读电压确定方法及装置

申请号: CN202311778934.3
申请人: 国创芯科技(江苏)有限公司
申请日期: 2023/12/22

摘要文本

本发明属于数据存储技术领域,提供了一种TLC最优读电压确定方法及装置,其中方法包括:根据当前字线的7个读电压将字线划分为8个电压区间;依次用字线的其中一个读电压作为当前读电压对字线执行读操作;其中,读操作通过配置SLC读模式,或者level‑read模式实现;获取当前读电压读取到的字线的bit0个数和bit1个数;根据bit0个数和bit1个数,计算位于电压区间内被读为0的cell个数和被读为1的cell个数;确定当前读电压Vi和目标最优读电压Vir之间的存储单元相差数量;根据存储单元相差数量,确定当前读电压Vi移动至目标最优读电压Vir的方向和距离。本发明可以以很少的读取次数找到各电压区域的最优读电压,降低寻找和计算时间。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种TLC最优读电压确定方法及装置
专利类型 发明申请
申请号 CN202311778934.3
申请日 2023/12/22
公告号 CN117594098A
公开日 2024/2/23
IPC主分类号 G11C16/08
权利人 国创芯科技(江苏)有限公司
发明人 王振中; 李成业
地址 江苏省扬州市开发区扬子江中路186号智谷科技综合体二期A3栋20层

专利主权项内容

1.一种TLC最优读电压确定方法,其特征在于,包括:根据当前字线的7个读电压将字线划分为8个电压区间;依次用字线的其中一个读电压作为当前读电压对字线执行读操作;其中,读操作通过配置SLC读模式,或者level-read模式实现;获取当前读电压读取到的字线的bit0个数和bit1个数/>;根据bit0个数和bit1个数/>,计算位于电压区间内被读为0的cell个数和被读为1的cell个数;确定当前读电压Vi和目标最优读电压Vir之间的存储单元相差数量;根据存储单元相差数量,确定当前读电压Vi移动至目标最优读电压Vir的方向和距离。