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一种基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法

申请号: CN202311344505.5
申请人: 扬州大学
申请日期: 2023/10/17

摘要文本

本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:S1:在单面抛光样品背面完成PolySi层的沉积;S2:将硼和磷的化合物混合制备溶液,并涂覆在S1完成PolySi制备的样品表面形成薄膜;S3:使用激光照射涂覆了薄膜的硅基底,诱导薄膜中不同化合物的分解,实现选择性掺杂;S4:双面钝化氧化铝和氮化硅;S5:表面钝化完成后在硅片背面进行P区与N区的金属化,依次在硅片背面印刷银浆电极和银铝浆电极,然后烧结完成电池制备。本发明通过光诱导方法实现硅基底的选择性掺杂,操作简便,低成本,掺杂深度和区域可控,有利于提高半导体太阳能电池等器件的制备效率和性能。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311344505.5
申请日 2023/10/17
公告号 CN117374158A
公开日 2024/1/9
IPC主分类号 H01L31/18
权利人 扬州大学
发明人 李绿洲; 丁建宁; 董旭; 江瑶瑶; 王芹芹
地址 江苏省扬州市邗江区大学南路88号

专利主权项内容

1.一种基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:在单面抛光样品背面完成Poly Si层的沉积;S2:将硼和磷的化合物混合制备溶液,并涂覆在S1完成Poly Si制备的样品表面形成薄膜;S3:使用激光照射涂覆了薄膜的硅基底,诱导薄膜中不同化合物的分解,实现选择性的P型或N型掺杂;S4:在所述单晶硅片的双面钝化氧化铝和氮化硅;S5:表面钝化完成后在硅片背面进行P区与N区的金属化,用丝网印刷的方式依次在硅片背面印刷银浆电极和银铝浆电极,然后烧结完成电池制备。 关注公众号马克数据网