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一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法
摘要文本
本发明属于晶硅光伏电池新能源领域，尤其涉及一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法，包括如下操作步骤：在抛光样品背面完成非晶硅层或多晶硅层的沉积；在非晶硅层或多晶硅层上沉积一层液态硼源，并使用激光加热烘干局部区域的硼源；对样品进行清洗以去除未固化区域的硼源，剩下的区域作为背接触的P+区；通过印刷的方式对P+区及其外周印扩散隔离材料覆盖；采用高温磷扩实现N+区的掺杂和P+区的硼元素激活，完成全背电极接触晶硅光伏电池的图案化制备。本发明采用硼源+印扩散隔离材料+磷扩的方式将P+区、N+区和Gap区制备在一个平面上，降低了电池金属化时印刷浆料的难度，降低了硅片的碎片率。
申请人信息
- 申请人:扬州大学
- 申请人地址:225009 江苏省扬州市邗江区大学南路88号
- 发明人: 扬州大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311493740.9 |
| 申请日 | 2023/11/9 |
| 公告号 | CN117542919A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 扬州大学 |
| 发明人 | 李绿洲; 丁建宁; 王芹芹; 温相丽; 董旭; 江瑶瑶 |
| 地址 | 江苏省扬州市邗江区大学南路88号 |
专利主权项内容
1.一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法，其特征在于：包括如下操作步骤：S1：在抛光样品背面完成非晶硅层或多晶硅层的沉积；S2：在非晶硅层或多晶硅层上沉积一层液态硼源，并使用激光加热烘干局部区域的硼源；S3：对样品进行清洗以去除未固化区域的硼源，剩下的区域作为背接触的P+区；S4：对P+区及其外周印刷扩散隔离材料形成膜覆盖；S5：采用高温磷扩实现N+区的掺杂和P+区的硼元素激活，由此完成PIN结构；S6：清洗以去除扩散隔离材料膜及绕镀，获得洁净高效的表面。