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一种基于穿通结构的多场环快恢复二极管及其制备方法
摘要文本
本发明公开了半导体技术领域内的一种基于穿通结构的多场环快恢复二极管及其制备方法。该快恢复二极管包括：N+衬底、N缓冲层、N‑漂移区；轻掺杂P‑区设置于N‑漂移区上部；元胞区、多个场环和一个截止环，多个场环和一个截止环均与元胞区同圆心设置且间隔分布，截止环位于最外圈场环的外周，元胞区和多个场环为重掺杂P+区，截止环为重掺杂N+区；氧化层，设置于N‑漂移区上方；金属场板，设置于氧化层、元胞区和环区上方；背面金属层，设置于N+衬底下方。该快恢复二极管通过轻掺杂P‑区搭配穿通结构，及多场环、截止环与场板结合，实现了提高反向耐压能力、降低正向压降、改善软度因子的效果。
申请人信息
- 申请人:扬州国宇电子有限公司
- 申请人地址:225000 江苏省扬州市吴州东路188号
- 发明人: 扬州国宇电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于穿通结构的多场环快恢复二极管及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311756076.2 |
| 申请日 | 2023/12/20 |
| 公告号 | CN117727799A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L29/861 |
| 权利人 | 扬州国宇电子有限公司 |
| 发明人 | 王圣涛; 杨梦凡; 陆宇; 苗笑笑; 刘闯 |
| 地址 | 江苏省扬州市吴州东路188号 |
专利主权项内容
1.一种基于穿通结构的多场环快恢复二极管，其特征在于，包括：N+衬底；N缓冲层，设置于所述N+衬底上方；N-漂移区，设置于所述N缓冲层上方；轻掺杂P-区，设置于所述N-漂移区上部；元胞区和环区，设置于所述轻掺杂P-区内，所述环区包括多个场环和一个截止环，多个所述场环和一个截止环均与所述元胞区同圆心设置且间隔分布，所述截止环位于最外圈所述场环的外周，所述元胞区和多个所述场环为重掺杂P+区，所述截止环为重掺杂N+区；氧化层，设置于所述N-漂移区上方，所述氧化层上开设有与所述元胞区和所述环区对应的窗口；金属场板，设置于所述氧化层、元胞区和环区上方；背面金属层，设置于所述N+衬底下方。 （来自 马克数据网）