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一种快恢复二极管的锰掺杂方法及快恢复二极管
摘要文本
本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种快恢复二极管的锰掺杂方法及快恢复二极管，其中方法包括：S1.获得N型重掺杂硅衬底；S2.在N型重掺杂硅衬底上生长N型轻掺杂外延层；S3.在N型轻掺杂外延层上生长氧化掩蔽层；在氧化掩蔽层上通过光刻、刻蚀工艺开设窗口，并注入硼离子，退火后形成主结和场限环；S4.在步骤S3所得制品上淀积多晶硅层，通过光刻刻蚀得到多晶硅场板；S5.对N型重掺杂硅衬底进行背面减薄后，将锰离子从背面注入并退火；S6.在步骤S5所得制品的正反面均淀积金属电极；其中正面金属电极位于主结的顶部；S7.在步骤S6所得制品上涂覆聚酰亚胺形成钝化层。本发明采用锰掺杂降低了反向恢复时间，同时背面减薄后注入可避免漏电流变大的问题。
申请人信息
- 申请人:扬州国宇电子有限公司
- 申请人地址:225000 江苏省扬州市吴州东路188号
- 发明人: 扬州国宇电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种快恢复二极管的锰掺杂方法及快恢复二极管 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311573735.9 |
| 申请日 | 2023/11/23 |
| 公告号 | CN117594438A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L21/329 |
| 权利人 | 扬州国宇电子有限公司 |
| 发明人 | 刘闯; 马文力; 杨梦凡; 陆宇; 苗笑笑 |
| 地址 | 江苏省扬州市吴州东路188号 |
专利主权项内容
1.一种快恢复二极管的锰掺杂方法，其特征在于，包括：S1.获得N型重掺杂硅衬底；S2.在所述N型重掺杂硅衬底上生长N型轻掺杂外延层；S3.在所述N型轻掺杂外延层上生长氧化掩蔽层；在所述氧化掩蔽层上通过光刻、刻蚀工艺开设窗口，并注入硼离子，退火后形成主结和场限环；S4.在步骤S3所得制品上淀积多晶硅层，通过光刻刻蚀得到多晶硅场板；S5.对所述N型重掺杂硅衬底进行背面减薄后，将锰离子从背面注入并退火；S6.在步骤S5所得制品的正反面均淀积金属电极；其中正面金属电极位于所述主结的顶部；S7.在步骤S6所得制品上涂覆聚酰亚胺形成钝化层。