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一种Tb掺杂钨青铜型的热敏电阻材料及其制备方法
摘要文本
本发明涉及一种Tb掺杂钨青铜型的热敏电阻材料及其制备方法，热敏电阻材料以碳酸钡、三氧化二钐、二氧化钛和七氧化四铽为原料，所述热敏电阻材料的化学组成体系为BaSm2‑xTbxTi4O12，结构属于斜方晶系，空间群为Pbnm，0≤x≤0.3。采用本发明所述方法制备的斜方钨青铜型高温热敏电阻材料性能稳定、一致性好、阻温曲线线性度高，适合制造高温热敏电阻器。 来源：专利查询网
申请人信息
- 申请人:中科立民新材料(扬州)有限公司
- 申请人地址:225600 江苏省扬州市高邮经济开发区长江路科技创业中心A2栋-2层
- 发明人: 中科立民新材料(扬州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种Tb掺杂钨青铜型的热敏电阻材料及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311427652.9 |
| 申请日 | 2023/10/30 |
| 公告号 | CN117401975A |
| 公开日 | 2024/1/16 |
| IPC主分类号 | C04B35/50 |
| 权利人 | 中科立民新材料(扬州)有限公司 |
| 发明人 | 张博; 倪立; 周洋; 武锐锋 |
| 地址 | 江苏省扬州市高邮经济开发区长江路科技创业中心A2栋-2层 |
专利主权项内容
1.一种Tb掺杂钨青铜型的热敏电阻材料，其特征在于，所述热敏电阻材料以碳酸钡、三氧化二钐、二氧化钛和七氧化四铽为原料，所述热敏电阻材料的化学组成体系为BaSmTbTiO，结构属于斜方晶系，空间群为Pbnm，0≤x≤0.3。2-xx412。来自马-克-数-据-官网